在EBSD数据分析中，GOS (grain orientation spread) map常被用来表征金属材料组织的局部应变，利用这种局部应变我们不仅可以区分晶粒内应变的大小，还能用于区分部分再结晶组织中的各晶粒是否为再结晶长大的晶粒，从而表征部分再结晶组织。 这个教程给大家讲解下在OIM analysis中如何生成GOS map来表征和统计部分再结晶组织中的再结晶、回复和变形区域。 01 选中数据，生成GOS map. 02 点击edit按钮，将弹出对话框中的颜色范围数n设置为3，然后点击add n solid …

gos的临界值表示晶粒发生了再结晶，其临界值是第一个峰值的最后一个点。gos大意味着晶格畸变严重且位错密度高，而gos低的晶粒则具有均匀的应变分布。现在很多文献中都应用gos图来判断晶粒的变形和再结晶程度。

电子背散射衍射（ebsd）是分析晶粒尺寸的理想技术，可以提供包括晶粒尺寸、晶界特征和织构定量等微观信息。 1 晶粒尺寸和晶粒参数 为了准确测量晶粒尺寸，检测到所有晶界是非常必要的。

What is the difference between the average intragrain misorientation (AMIS) and the grain orientation spread (GOS) for EBSD analysis? And how can I obtain GAM, GOS and AMIS maps with this...

系列选集链接：https://www.bilibili.com/video/av74703370/这个视频专辑主要是详解Oxford Instruments公司的EBSD数据分析软件Channel 5， 结合多个实例（比如我发在Acta Materialia的数据）帮助所有的小伙伴们从EBSD数据处理小白到高手，让所有在苦苦挣扎的小朋友们挖掘出更有 …

EBSD数据分析——OIM生成GOS map中如何用不同颜色表示再结晶、回复和变形区域

晶粒取向散布图（Grain Orientation Spread， GOS），这个有价值的初级应变分析工具显示了晶粒大部分的变形情况——显示了其空间分布和数值峰值。 这是一个全面的晶粒分类工具：对于测试区域内的每一个晶粒，GOS计算晶粒内每一个像素与晶粒平均取向之间差值。 根据所有组成像素差值的平均值赋予晶粒颜色。 通过测量晶格旋转程度确定晶粒的应变值，根据图中的彩虹色标尺，对应变较高的晶粒由黄色到红色渐变赋予颜色。 在这个例子中，高应变的晶粒集中在样品 …

ebsd技术是材料科学的重要表征手段之一，已广泛应用于多个研究领域。 从近年来重要期刊（如 Acta，MSEA，JAC，MD等）所发表文章的内容来看，EBSD表征对文章质量的提高起着重要作用。

该技术也被称为电子背散射衍射 (Electron Backscattered Diffraction，简称EBSD)或 取向成像显微技术 (Orientation Imaging Microscopy，简称OIM) 等。 EBSD的主要特点是在保留 扫描电子显微镜 的常规特点的同时进行空间分辨率亚微米级的衍射（给出结晶学的数据）。 EBSD改变了以往织构分析的方法，并形成了全新的科学领域，称为“显微织构”—将显微组织和晶体学分析相结合。 与“显微织构”密切联系的是应用EBSD进行相分析、获得界面（晶界）参数和检测塑性应变。

2024年6月16日 · ebsd分析可以很直观地表征金属以及合金的再结晶程度，并能对不同部分进行定量统计分析，同时还可以得到晶粒度、大小角度晶界等一系列相关信息，非常方便。