1990年10月20日 · This paper deals with the chemical etching of (100) InP using a phosphoric acid and hydrogen peroxide mixture. It is shown that the etching rate is strongly dependent on the relative...

1987年3月1日 · SEM observations are reported with the aim of studying the etching characteristics of GaAs substrates in H 3 PO 4:H 2 O 2:H 2 O systems. The surface morphology is shown to vary extensively with the etchant composition and etching time.

HNO3 氧化Al 生成 Al2O3, H3PO4 除去 Al2O3。 5. Ti. RCA Clean: 美国RCA 公司开发的以双氧水为基础， 加入NH4OH, HCl 或H2SO4试剂，来除去异物质的方法。 主要在40~80℃条件下用来除去有机物和金属污染物。 NH4OH 可以分解成 NH4+ 和OH- 蚀刻SiO2 表面从而除去面的particle。 OH-在particle 和Wafer 表面吸附，产生斥力，防止particle再被吸附到wafer 表面。 H2O2 分解成H2O 和 [O] 活化原子。 [O]为氧化剂. 通过调节H2O2比例 控制SiO2 蚀刻量。 2.

2020年7月7日 · The all-organic photosystem with H3PO4 as a stabilizer may provide a basis of photocatalytic H2O2 splitting. While H2 can serve as a renewable fuel, its large scale production, storage, and ...

• H3PO4:H2O2:H2O is a corrosive (it can burn your flesh, eyes, lungs, and mucous membranes) and oxidizing (it can set things on fire) liquid. • It contains Phosphoric Acid (H3PO4), Hydrogen Peroxide (H2O2), and large amounts of de-ionized water. • You must read the safety data sheets of its ingredients before you make

hclh3po4:h2o2 蚀刻剂是 hcl 和 h2o2 在 h3po4 中的非水溶液溶剂。 作为氧化剂的H2O2起着非常重要的作用。 单独的盐酸，不含 H2O2，不会侵蚀 GaAs。

1990年10月1日 · This paper deals with the chemical etching of (100) InP using a phosphoric acid and hydrogen peroxide mixture. It is shown that the etching rate is strongly dependent on the relative concentration of the two species; it is maximal for an equivolumic solution, and depending on the dilution it ranges from 70 to 20 Å/min.

1982年11月1日 · An H 3 PO 4 –H 2 O 2 –H 2 O solution is studied for possible use in the etching of germanium. The solution can be roughly classified into two ternary regions according to its etching characteristics: a (with a low H 2 O 2 concentration) and …

2010年11月6日 · 中国科学院研 究生院， 北京 100039) 摘要： 采用了H， PO ／ H 0 系化学腐蚀液对 GSMBE 外延的 InGaAs／ InP 和 InA1 As／ InP 材料湿法腐 蚀特性进行 了研 究， 研 究了不同浓度和配 比对于腐蚀速率和形貌影 响。 结果表 明该腐蚀液体 系具 有 良好 的均匀性， 腐蚀速率随浓度呈指数关系， 表面形貌基本不受浓度影响。 在增加腐蚀液 中双氧 水含量时， 腐蚀速率先增大后减小， 表面形貌良好； 增加磷酸浓度腐蚀速率亦有增大趋势， 表面出现 尖锥状小丘。 …

2024年6月5日 · 性能测试结果显示，cof@h3po4光催化剂具有优异的光催化活性，可见光照射60分钟后，h2o2浓度达到706 μm，分别比g-c3n4(10 μm)和p25(3 μm)高70和235倍。 此外，在可见光照射下，COF@H3PO4的太阳能-化学能转换效率高达0.69%，优于大多数文献报道的光催化剂。