根据欧姆定律（其中是电流，是电压，是电阻），在相同的栅极电压和源漏电压下，较小的沟道电阻会使通过沟道的电流增大，即增强了 MOSFET 的电流驱动能力。 更强的电流驱动能力可以使电路更快地对信号进行响应和处理，提高了电路的性能和效率。 集成电路的发展趋势是在有限的芯片面积上集成更多的晶体管，以实现更复杂的功能。 较短的沟道长度意味着每个 MOSFET 占用的芯片面积更小。 通过缩小沟道长度，可以在相同面积的芯片上放置更多的晶体管，从而大大提 …

HBM全称为High Bandwidth Memory，翻译即是高带宽内存，他是一款新型的CPU/GPU内存芯片。 其实就是将很多个 DDR芯片 堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。

2025年2月8日 · 这一决策与美国商务部工业与安全局（BIS）最新发布的出口管制法规密切相关。根据这一新规，自2025年1月31日起，如果16/14nm及以下工艺的相关产品不在BIS白名单中的“approved OSAT”进行封装，并且台积电没有收到该封装厂的认证签署副本，这些产品将被暂停发 …

2021年4月7日 · 14nm制程首要用于中高端AP/SoC、GPU、矿机ASIC、FPGA、汽车半导体等制造。 而关于中国大陆本土的晶圆代工厂来说，特别是中芯世界和华虹，正在开发14nm制程技能，距离量产时刻也不远了。 现在来看，具有或行将具有14nm制程产能的厂商首要有7家，分别是：英特尔、台积电、三星、格芯、联电、中芯世界和华虹。 28nm. 因为性价比进步一直以来都被视为摩尔定律的中心意义，所以20nm以下制程的本钱上升问题一度被认为是摩尔定律开端失效 …

2025年1月16日 · 1月15日消息，据媒体报道称，美国拜登政府最快在当地时间本周三推出新的出口管制措施，将阻止台积电、三星等晶圆代工厂所生产的14nm或16nm及 ...

也就是说只要超过300亿个晶体管，并且芯片是在14nm/16nm以及更先进节点上制造的，都将受到美国的管制。 除非获得了来自美国商务部颁发的出口许可。

在内存技术领域大有名气的Rambus近年来也转向HBM领域，日前与AMD代工厂GlobalFoundries联合宣布将基于后者的14nm LPP工艺制造HBM 2标准的物理层，主要用于网络及数据中心市场。

2017年2月7日 · (NASDAQ: RMBS) today announced the availability of its High Bandwidth Memory (HBM) Gen2 PHY developed for GLOBALFOUNDRIES high-performance FX-14 TM ASIC Platform. Built on the GLOBALFOUNDRIES 14nm FinFET (14LPP) process technology, the Rambus HBM PHY is aimed at networking and data center applications and designed for systems that require low ...

2015年4月24日 · 虽然新GPU在架构上可能不会有颠覆性的革新，但将会使用14nm工艺，目标是提高每瓦功耗下GPU核心的性能。

2024年11月14日 · 目前，三星电子 HBM3E 产品完全依赖于其 14nm 级（IT之家注：即 1a nm）DRAM，而另外两家主要 HBM 内存企业 SK 海力士与美光的产品则基于 1b DRAM，三星天然存在相对工艺劣势。 此外三星电子在其 12nm 级（1b nm）DRAM 的最初设计中并未考虑到 HBM 领域的用途，因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 DRAM Die 选用。 更早的消息则指出，三星不光是HBM4得到了大客户的青睐，就连此前多次被卡在质量验证的HBM3E，似乎也 …