答：Liner oxide 为1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层，其功能为： ①修补进STI etch 造成的基材损伤； ②将STI etch 造成的etch 尖角给于圆化( corner rounding)。

2017年5月10日 · 工艺流程中有一道工序是HDP-OXIDE Deposition ,请问这道工序是做什么的？ 还有HDP是什么意思，由什么单词缩写而成的？ 4楼正解，High Density Plasma，是一边dep一边etch的工艺，防止出现void空洞。 好像是0.18/0.152um的process。 GMT+8, 2025-3-19 20:10 , Processed in 0.023241 second (s), 9 queries , Gzip On, MemCached On. 工艺流程中有一道工序是HDP-OXIDE Deposition ,请问这道工序是做什么的？ 还有HDP是什么意思，由什么单词缩 …

磁控溅射是一种在靶材背面添加磁体的PVD方式，利用溅射源在腔室内形成交互的电磁场，延长电子的运动路径进而提高等离子体的浓度，最终实现更多的沉积。 磁控PVD等离子体浓度更高，可以实现极佳的沉积效率、大尺寸范围的沉积厚度控制、精确的成分控制等，在当前金属薄膜PVD中处于主导地位。 磁控溅射PVD主要用于Al金属籽晶层、TiN金属硬掩膜。 磁控溅射PVD中的磁控DCPVD是应用最广泛的沉积方式，特别是对于平面薄膜的沉积，比如Al互连的金属层，但 …

答：gate oxide是先用湿氧氧化，然后用dry oxide的方式形成的。 DRY OXIDE 生长的氧化物结构、质地、均匀性均比WET OXIDE好，但用WET OXIDE 形成的氧化物的TDDB比较长。

在 hdp cvd 反应腔中，主要是由 电感耦合等离子体反应器(icp)来产生并维持高密度的等离子体。 当射频电流通过线圈 (coil)时会产生一个交流磁场，这个交流磁场经由感应耦合即产生随时间变化的电场，如 图 6 所示。

2007年1月30日 · In this report we have carried out a systematic investigation of the bonding behavior between a high-density-plasma chemical vapour deposition (HDP-CVD) oxide and a thermal oxide (TO).

dry oxide 生长的氧化物结构、质地、均匀性均比wet oxide好，但用wet oxide 形成的氧化物的tdbb比较长。 TDBB即TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN，其是用于评估氧化物寿命的参数。

Oxide from high density plasmas, using RF bias on the substrate to enhance ion bombardment energies, has become an accepted approach to oxide deposition for low-temperature requirements. Originally developed for intermetal dielectrics, HDP oxides are also employed in isolation trench fill and dielectrics over polysilicon, as pre-metal thermal ...

本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(hdp cvd)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。

Direct wafer bonding between high-density-plasma chemical vapour deposited (HDP-CVD) oxide and thermal oxide (TO) has been investigated. HDP-CVD oxides, about 230 nm in thickness, were deposited on Si(0 0 1) control wafers and the wafers of interest that contain