130-45nm制程：使用hdp-cvd方法用psg填充金属前介质层、用sio2填充sti等工艺。hdp-cvd（高密度等离子cvd）是pecvd的一种特殊形式，同时发生薄膜沉积和溅射，能够实现对沟槽和孔隙自下而上的填充，hdp-cvd沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低；

高密度等离子体化学气相沉积 （hdp -cvd）工艺是 pecvd 工艺的一种特殊形式。在高密度等离子体中，离子化的原子或分子具有较高的能量，在向衬底移动时具有更强的轰击作用，从而能够引发溅射。 ... pecvd技术能与物理气相沉积（pvd）和原子层沉积（ald）等沉积 ...

pecvd 和 hdpcvd 的主要区别: 等离子体密度:pecvd 使用密度较低的等离子体，而 hdpcvd 使用密度较高的等离子体，因此能更好地控制薄膜特性。 温度要求:与传统的 cvd 相比，pecvd 的工作温度较低，但由于采用了高密度等离子体，hdpcvd 可以达到更低的温度。

在hdp cvd工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)进行绝缘介质的填充。 这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隔，用PE CVD工艺一步填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的 ...

High-density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) is a special form of plasma-enhanced chemical vapor deposition that uses an inductively coupled plasma source that provides a higher plasma density than a standard parallel-plate PECVD system.Just as using a low-density plasma from PECVD allowed high-quality films at lower temperatures, high plasma density using ICP along with substrate ...

了解 hdp-cvd 工艺、其步骤、优势以及在高质量薄膜半导体制造中的应用。 ... rf-pecvd 是 "射频等离子体增强化学气相沉积 "的缩写。它能在锗和硅基底上沉积 dlc（类金刚石碳膜）。其波长范围为 3-12um 红外线。 等离子体增强蒸发沉积 pecvd 涂层机 . 使用 pecvd 涂层 ...

The HDP film has a higher film density, much lower hydrogen content, in addition to lower polish, wet-etch, and dry-etch rates, than the PECVD film. Therefore, the HDP silicon nitride is suitable and ideal as CMP and etch stop layers, as hard mask, and as Copper diffusion and oxidation barriers in damascene architectures.

lpcvd、pecvd和hdp-cvd在材料沉积、设备需求和工艺条件等方面均展现出显著差异。lpcvd以其高温下制备的高质量薄膜和均匀性受到赞誉，但不适用于热敏感材料；而pecvd则因其低温、高效和灵活性受到青睐，但在薄膜质量上稍逊一筹。

为了同时满足高深宽比间隙的填充和控制生产成本，诞生了HDP-CVD工艺，它的特点在于，可以在同一个反应腔中同步地进行沉积和物理轰击（见图4.13），从而实现绝缘介质在沟槽中的bottom-up生长. 图4.13 HDP-CVD工艺沉积同时进行原位物理轰击. 1．HDP-CVD作用机理

pecvd 过程中的等离子通常是通过向嵌入低压气体中的电极施加电压而产生的。pecvd 系统可通过不同方式产生等离子体，包括射频 (rf)、中频 (mf)、脉冲直流电或直接直流电。电源提供的能量可激活气体或蒸汽，形成电子、离子和中性自由基。 原位监测和控制系统