历经 hbm2、hbm2e 到 hbm3，每一代 hbm 都带来大幅性能提升和容量增加。最新 hbm3e 为服务器提供更快的速度和更大的容量，满足 ai 服务器快速发展的需求。 hbm市场由三大巨头主导：sk海力士（50%市占率）、三星（40%市占率）和美光（10%市占率）。

2024年3月1日 · HBM2于2016年发布，2018年正式推出，为4层DRAMdie，现在多为8层die，提供256GB/s带宽，2.4Gbps传输速度，和8GB内存； HBM2E于2018年发布，于2020年正式提出，在传输速度和内存等方面均有较大提升，提供3.6Gbps传输速度，和16GB内存。 HBM3于2020年发布，2022年正式推出，堆叠层数及管理通道数均有增加，提供6.4Gbps传输速度，传输速度最高可达819GB/s，和16GB内存HBM3E由SK海力士发布HBM3的增强版，提供高达8Gbps的传输速 …

hbm2e 然后是高带宽内存的最新版本——HBM2E。 它于 2018 年由 JEDEC 首次宣布，支持每个芯片高达 307 GB/s 的带宽，最大堆叠数量为 12 芯片，堆叠最大内存达到 24 GB。

SK hynix's 1ynm 16Gb HBM2E is the industry's fastest memory at 3.6Gbps in I/O speed, processing 460GB of data per second using 1,024 I/Os. With 36% better heat dissipation than the previous HBM2, our new HBM2E is a truly efficient memory with robust performance for …

HBM2E Flashbolt 的处理速度为 3.6 千兆比特每秒 (Gbps)，速度约是上一代 HBM 速度的 1.5 倍。 除此之外，HBM2E Flashbolt 还通过硅通孔 (TSV) 技术实现了高带宽， 有助于快速处理大量数据，将 AI 训练效率提高了 6 倍*左右。

2020年7月30日 · SK海力士的HBM2E以每个引脚3.6Gbps（gigabits-per-second）的速度，每秒能处理超过460GB（Gigabyte）的数据，包含1024个数据I/O（输入/输出）。它是业界最快的DRAM解决方案，能够每秒传输124部全高清（full-HD）电影（每部3.7GB）。

2021年4月15日 · HBM stands for high bandwidth memory and is a type of memory interface used in 3D-stacked DRAM (dynamic random access memory) in some AMD GPUs (aka graphics cards), as well as the server,...

HBM2e，作为HBM2的扩展版，进一步推动了显存技术的边界。 它在保持HBM2优点的基础上，通过增加带宽和容量，为需要极致性能的应用提供了有力支持。 HBM2e特别适合数据密集型应用，并能处理更复杂的计算任务。 HBM3，作为第三代高带宽显存技术，标志着显存性能的新篇章。 它在HBM2的基础上进行了全面优化，采用了更先进的制程技术和设计，从而实现了更高的数据传输速率和更大的容量。 HBM3不仅为高性能计算和AI应用提供了强大支持，还保持了低功耗的 …

High Bandwidth Memory (HBM) offers ultra-wide bandwidth and scalable density1 with low power consumption to do just that. At the forefront is HBM2E, the fastest memory on the planet and the agship of Micron's complete Ultra-Bandwidth Solutions portfolio. Data growth is accelerating... Why is HBM2E better? at nanoscale, it is.

2021年9月29日 · HBM2E是高頻寬方案產品，適合滿足高效能運算 (HPC)、人工智慧 (AI)等運算密集應用的極高記憶頻寬需求。 HBM2E常用來替代GDDR6與GDDR6X SGRAM等廣為應用、同樣也提供高頻寬的記憶體。 表1比較兩種技術的關鍵特性。 HBM2E DRAM的堆疊架構. HBM2E DRAM將四個或八個DRAM記憶體層，立體整合為單一堆疊裝置 (未來規畫十二個DRAM層)。 堆疊介面底部有額外的邏輯層或基底層，連接特殊應用積體電路 (ASIC)並為HBM2E DRAM增加其 …