HBM3 于 2022 年 1 月推出，是一种高性能 2.5D/3D 内存架构，HBM3的位宽还是 1024 bit，速率达到 6.4 Gb/s，能提供 819 GB/s 的带宽；而 HBM3E 速率达到了9.6 Gb/s，目前是最新一代的 HBM。

SK海力士 发布HBM3E，提供8Gbps传输速度和16GB内存，将于2024年量产。 HBM3E是HBM3的扩展版本，为高性能计算和人工智能应用提供突破性性能。

2024年3月10日 · Rambus HBM3E/3 内存控制器内核将数据速率提高到市场领先的每个数据引脚 9.6 Gb/s（远高于 6.4 Gb/s 的标准速度）。 该接口具有 16 个独立通道，每个通道包含 64 位，总数据宽度为 1024 位。

Micron HBM3E has an industry best data rate of >9.2 Gb/s and 24GB capacity in an 8-high cube, resulting in >1.2 TB/s bandwidth with 2.5X performance/watt compared to the previous generation HBM2E. All this is made possible with the most advanced 1β process node from Micron along with innovations in CMOS and packaging technologies.

Micron HBM3E is the fastest, highest-capacity high-bandwidth memory to advance AI innovation — an 8-high, 24GB cube that delivers over 1.2 TB/s bandwidth and superior power efficiency. Micron is your trusted partner for AI memory and storage innovation.

2024年3月1日 · 目前迭代至HBM3的扩展版本HBM3E，提供高达8Gbps的传输速度和16GB内存，由SK海力士率先发布，将于2024年量。 HBM主要应用场景为AI服务器，最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200。

2024年6月10日 · The major DRAM manufacturers have introduced HBM3E devices which push data rates to 9.6 Gb/s. In parallel with higher density HBM devices, chip architects are driving …

HBM3E is highly energy-efficient because the data path between the host and memory is shorter. The DRAM communicates with the host through silicon vias or TSVs, which Girish explains as being similar to a toothpick through a burger. It takes power and data from the bottom die and moves it to the top memory layer.

2024年5月6日 · HBM3E是高带宽内存技术的最新版本，提供8Gbps传输速度和16GB内存容量，适用于高性能计算、人工智能和图形处理等领域。 HBM3E凭借其高带宽、低功耗和大容量特性，为AI服务器和数据中心带来显著性能提升，推动行业变革。

2025年1月22日 · 三星、SK 海力士、美光等厂商推出的 12 层堆叠 HBM3e 产品，容量最高达 36GB ，满足了大数据处理需求。 在研发和生产上，三星 HBM3e 产品引脚速度 9.8Gbps，整体传输速率超 1.2TBps；SK 海力士率先量产 12 层堆叠 HBM3e，内存运行速度 9.6Gbps；美光 12 层堆栈产品容量 36GB，带宽超 1.2TB/s，传输速率超 9.2Gb/s，功耗低且有内置自测系统。 这些产品广泛应用于 AI 领域，在 AI 服务器、大型语言模型训练中，加速数据处理，提升模型性能， …