SiCO(H)薄膜材料及其前驱体的制备与性能表征-学位-万方数据知识 …
通过对各种候选低介电常数材料的性能和制备方法的综合分析，总结出SiCO (H)薄膜材料综合了无机材料良好的热稳定性和力学性能以及有机材料低k值的优点，为此，选取含有Si、C、O、H …
Low- k a-SiCO:H films as diffusion barriers for ... - ScienceDirect
2014年5月25日 · In this work, we study the PE-CVD deposition of a-SiCO:H films using octamethyl cyclotetrasiloxane (OMCTS) as a precursor, targeting a dielectric constant of 3.5 or …
一种低介电常数的SiCO间隔层材料及其制备方法和应用与流程
2019年1月2日 · 一种低介电常数的sico间隔层薄膜，是以co/co2的混合气体作氧化剂、通过等离子体增强原子层沉积方法制备而成，薄膜中含有-si-ch3与-si-ch2ch3结构。 薄膜的介电常数 …
评估碳氧化硅薄膜的断裂特性和界面强度：XFEM ... - X-MOL
碳氧化硅（sico）薄膜具有独特的纳米域结构，表现出多种功能特性和高温稳定性，而sico与衬底界面的机械性能是提高微电子薄膜器件可靠性的关键问题之一。在这项工作中，通过实验和扩 …
A Model for the Nanodomains in Polymer-Derived SiCO
The polymer-based synthesis of ceramics such as SiCO (and SiCN) leads to the incorporation of significant amounts of carbon into their molecular structure. A key feature of the nanostructure …
SiCOH低介电常数薄膜的性质和键结构分析 - 物理学报
通过对富氏变换红外光谱 (FTIR)的分析，比较了反应源和薄膜键结构的差异，证实薄膜中一方面保持了源中由Si—O—Si键构成的环结构，另一方面形成了由大键角Si—O—Si键构成的鼠笼式结 …
SiCN陶瓷：一种新型半导体材料 - 知乎 - 知乎专栏
聚合物转化陶瓷（PDCs）技术，即通过有机高分子聚合物经过高温裂解制备无机陶瓷的技术。常见的陶瓷体系包括SiC、Si3N4、BN、AlN等二元体系，SiCN、SiCO、BCN等三元体系，以 …
耐高温Si-C-O气凝胶复合材料组成、结构及其隔热机理研究
《耐高温Si-C-O气凝胶复合材料组成、结构及其隔热机理研究》是依托中国人民解放军国防科技大学，由冯坚担任项目负责人的面上项目。 针对SiO2气凝胶耐温性较低问题，以改性的有机硅 …
硅科产品，应用无限！硅烷交联剂的6大类型来啦！ - 技术科普 - 全 …
2024年10月10日 · sicosil®sico-n113e主要用于渲染广泛的表面和材料拒水剂(如矿物填料、颜料、玻璃纸板)。 SICOSIL®SICO-N113E可使用纯或溶液处理填料，使用合适的混合设备。
SiCO(H)薄膜材料及其前驱体的制备与性能表征 - 豆丁网
2015年2月14日 · 高镍前驱体材料、高镍正极材料及其制备方法; 正极材料前驱体及其制备方法、正极材料及锂电池; 钾离子电池正极材料及其前驱体、以及制备方法; 薄膜材料及其制备技术 《 …
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