2021年11月6日 · HKMG此技术的定义简单的可以如下文表述，利用HK介质材料代替SiON和利用金属栅取代多晶硅栅的技术称为HKMG工艺技术。 这里有两个点：1）采用High k介质材料代替SiON；2）利用金属栅取代多晶硅栅。

2024年4月1日 · smic28hkc 工艺是上海微电子设备有限公司（smic）推出的一种先进 cmos 工艺，属于 28 纳米工艺。它是在普通的 28 纳米 cmos 工艺的基础上增加了高 k 金属栅极（hkmg）技术，使得晶体管的绝缘层和栅极具有更好的电...

作为28nm制程的主要技术方向之一，采用“ 金属栅极 （Metal Gate）+ 高介电常数绝缘层 (High-k)”的栅结构（以下简称“HKMG”），能够有效解决栅介质薄弱导致的漏电或多晶硅栅耗尽效应等一系列问题，并可提供较佳的效能表现。因此，HKMG工艺多被运用于运算速度 ...

2024年4月13日 · 所谓HKMG分为HK和MG两部分，HK指的是栅氧化物用 高介电常数材料 （High-K材料，常用HfO2）替代传统的SiO2或SiON，在不改变等效氧化层厚度（EOT）的情况下，增加物理厚度，改善量子隧穿效应，需要注意的是HfO2与Si直接接触会存在一些问题，因此与硅衬底间 …

2022年10月8日 · 公司最先进的制程技术为28纳米，采用Poly-SiON和HKMG双工艺方法，这在全球晶圆制造企业中是少数几家能够完全掌握的技术之一。 这种 技术 的 先进 性使得和舰芯片在行业中具备了较强的竞争优势。

In this study, the critical role of metal gate work function metal (WFM) removing process is investigated in 28 nm HKMG technology. It’s found that HCI performance of IO NMOS is dominated by the integrity of metal gate film stacks, which is much more influential than implant profile modulation as commonly used to solve HCI issue in 28 nm Poly ...

2021年7月27日 · In this study, a gate-stack engineering technique is proposed as a means of improving the performance of a 28 nm low-power (LP) high-k/metal-gate (HK/MG) device. In detail, it was experimentally verified that HfSiO thin films can replace HfSiON congeners, where the latter are known to have a good thermal budget and/or electrical characteristics ...

2023年7月1日 · This work focuses on evaluating the performance of 28 nm HKMG FeFET devices in the synaptic core of a multi-layer perception (MLP) based neural network. The device under test (DUT) is fabricated in GlobalFoundries’ using 28 nm high-k-metal-gate (HKMG) technologies on 300 mm wafers.

中芯国际是中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅（PolySiON）和HKMG制程的晶圆代工企业。 与传统的PolySiON制程相比，中芯国际28纳米HKMG技术将有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。

这款针对28纳米高介电金属栅极工艺技术（HKMG）而开发的流程，由中芯国际和Synopsys深度合作研发完成。 该流程基于 Synopsys公司的Galaxy™设计平台，采用了IC Compiler™ II布局及路由解决方案、Design Compiler®图像综合、StarRC™提取解决方案、PrimeTime®结束解决方案 ...