SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 | SK hynix Newsroom
2022年11月8日 · 借助HKMG，一层薄薄的高k薄膜可取代晶体管栅极中现有的SiON栅氧化层，以防止泄漏电流和可靠性降低。 此外，通过减小厚度，可以实现持续微缩，从而显著减少泄漏，并改善基于多晶硅/SiON的晶体管的速度特性。
集成电路HKMG工艺简介（Gate First/Gate Last） - 知乎专栏
2024年4月13日 · 所谓HKMG分为HK和MG两部分，HK指的是栅氧化物用 高介电常数材料 （High-K材料，常用HfO2）替代传统的SiO2或SiON，在不改变等效氧化层厚度（EOT）的情况下，增加物理厚度，改善量子隧穿效应，需要注意的是HfO2与Si直接接触会存在一些问题，因此与硅衬底间 …
上周聊过TSV工艺技术，实现HBM的两种途径， 微导纳米 说：小孩子才做选择，成年人我都要。：），下周聊聊HKMG …
2024年6月2日 · ——HKMG（High-K Metal Gate）：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质…… 聊聊核心技术TSV，是英文Through-SiliconVia的缩写，即晶圆级系统封装硅通孔，是一种通过硅通道垂直穿过组成堆栈的不同芯片或不同层实现不同功能芯片集成的封装技术。 如果说Wirebonding（引线键合）和Flip-Chip（倒装焊）的Bumping（凸点）提供了芯片对外部的电互连，RDL（再布线）提供了芯片内部... 上周聊过TSV工艺技术，实现HBM的两种途径， 微导纳 …
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 - 电子工程专辑 EE ...
2022年11月8日 · 通过在全新的1anm LPDDR5X DRAM中采用HKMG (High-k/Metal Gate)新技术，SK海力士发现即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 由于传统微缩 (scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG (High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。 SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。
海力士：引领High-k/Metal Gate工艺变革 - 雪球
2024年6月15日 · sk海力士的lpddr5x dram是首款在低功耗应用中使用hkmg成功批量生产的产品，通过大尺度微缩，同时利用全新hkmg晶体管构建块的优势了，晶体管的性能获得显著提升；考虑到hkmg的固有特性和针对hkmg优化的设计方案，可以有效控制泄漏电流，较之poly/sion，速度提 …
[Rulebreakers’ Revolutions] SK海力士全球首次应用HKMG工艺，突 …
2024年9月10日 · HKMG工艺是一种使用高K薄膜替代晶体管中传统SiON绝缘膜，从而防止漏电流并提高可靠性的技术。 高K薄膜具有极高的介电常数 7，其电气特性相当于五倍厚度的普通薄膜，这种更薄的薄膜实现了更为微细化的晶体管结构，与采用SiON绝缘膜的晶体管相比，速度更快、功耗更低。 7介电常数：栅极内可存储多少电子的程度。 由于HKMG整体工艺之前从未应用于移动端DRAM，SK海力士不得不优化相关工艺，克服挑战以确保其顺利应用。 公司当时最为担忧 …
[2024年新高管访谈：第六篇] 完成引领AI时代的HBM技术发展蓝 …
2024年3月28日 · 2022年，权副社长担任DRAM开发技术研究委员期间，首次在全球范围内将HKMG（High-K Metal Gate） 2 工艺应用于移动DRAM LPDDR产品，并成功开发出具备超高速及超低功耗特性的LPDDR5X与LPDDR5T。
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 - 艾邦半导体网
SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于 全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。 组成DRAM的晶体管 (Transistor)包括存储数据的单元晶体管 (Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管 (Core Transistor)，以及涉及控制逻辑和数据输入和输出的外围晶体管 (Peripheral Transistor)。 随着技术的进步， 单元电容器和单元晶体管在提高DRAM存储容量方面取得了一些技术突破。 另一方 …
高K金属栅极（HKMG）：HfO₂和HfSiO是最适合用作高k栅介质层材料 高K金属栅极（HKMG…
2025年2月24日 · 总结：HKMG技术路线已形成Thermal ALD主导、PEALD补充的分工体系。 在Hf基材料基础上，梯度掺杂与界面工程成为性能突破关键。 随着GAA和3D DRAM持续推进，ALD工艺需在原子级均匀性、极端结构保形性维度不断突破物理极限。
[Tech Pathfinder] HKMG Process Unlocks Next-Gen Mobile DRAM
2023年5月3日 · The answer lies in the world’s first application of the High-K Metal Gate (HKMG) process to mobile DRAM. This article will summarize the principle of the HKMG process and how this technology was applied to the LPDDR5X and LPDDR5T. 1 Scaling: The reduction in size of semiconductors to produce better device performance, power efficiency, and cost.