一般来说，探针功函数的校准多采用新鲜解理的hopg。新鲜解理的 hopg. 表面功函大约为 4.6 ev. 过程如下：首先kpfm 模式测量. cpd 值。其次将该数值代入公式1 可以 获得探针的功函数。最后使用具有已知功函数的校准探针，测量材料的cpd， 根据公式1 计算出样品的功 ...

2020年9月30日 · Nanoscale characterization techniques are fundamental to continue increasing the performance and miniaturization of consumer electronics. Among all the available techniques, Kelvin-probe force microscopy (KPFM) provides nanoscale maps of the local work function, a paramount property related to many chemical and physical surface phenomena.

2016年8月12日 · In Fig. 5, we demonstrate the imaging capabilities of G-mode KPFM on a freshly cleaved highly ordered pyrolytic graphite (HOPG) with a partial delamination of the substrate exposing graphene ...

2016年11月7日 · Before the KPFM measurement, the KPFM tip (platinum/iridium (Pt/Ir)-coated Si tip) was calibrated on a highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) surface. Here, the HOPG is conventionally...

2023年10月26日 · We use Kelvin probe force microscopy (KPFM) to show that the alloy work function can be modulated from 4.79 ± 0.01 eV (x = 0) to 4.64 ± 0.01 eV (x = 1.00). Here vdWHs of...

KPFM (Kelvin Probe Force Microscopy)开尔文探针力显微镜，也叫SKPM（Scanning Kelvin Probe Force Microscopy）扫描开尔文探针力显微镜。 本篇笔记介绍的是最常见的双次扫描振幅调制 KPFM 模式，除此之外，还有单次扫描振幅调制 KPFM，频率调制 KPFM等等。 参考 纳米电学模式的原理和应用. Nap模式：是一种双通道模式，扫图时同一行扫描两次，第一次轻敲模式扫描形貌（获得样品表面高度信息），第二次探针提升一定高度并和样品保持恒定高度差（Nap模式 …

pyrolytic graphite (HOPG) is often used as this reference for several reasons such as availability, cost, low resistiv-ity, and its hydrophobic properties among others. However, HOPG WF values found in the literature are very much dis-persed, ranging from a …

2024年5月21日 · 功函数 （Work Function）是将一个 电子 从材料表面（通常是金属）移走所需的最小 能量。 在下面. 的示意图中，也就是 真空能级 减去 费米能级。 能量等于电荷乘以电势。 因此对于电子而言，真空能级 = − ∙ 。 − 是单个电子的电荷（这里. 本身是一个正数），而 是材料表面附近的真空静电势。 例子一： 探针和样品距离较远，并且在电路上断开，相互独立。 此时两者的真空能级是齐平的。 为了方便后面的讨论，假设一种情况：探针的功函数 比较大，样品的 …

2007年9月20日 · 此外，研究表明(光电子能谱，KPFM)不同的晶面功函数是不同的，Ashcroft 的 Solid state physics有比较详细的解释。 KPFM,在研究电子结构方面是一种有力的工具，但对于实验数据的解释却不容易，常常需要考虑探针的影响，如针尖展宽效应等。

开尔文探针力显微镜（kpfm）是一种静电力显微镜（efm）技术，广泛应用于研究各种导电或半导电样品的电表面性质。kpfm能够提供局部表面电势分布的定量结果，或者如果进行了校准，还可以提供样品的功函数。为此，kpfm使用了与efm相同的基本实验配置。