EMMI和OBIRCH傻傻分不清？ - 知乎专栏
光诱导电阻变化（OBIRCH，Optical Beam Induced Resistance Change），激光作用于半导体材料时，会产生两种效应，一种是热效应，另一种是光生载流子效应。 如果激光波长的能量小 …
芯片漏电点定位及分析（EMMI/OBIRCH，显微光热分布，FIB-SEM）
光诱导电阻变化（Optical Beam Induced Resistance Change，OBIRCH），作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，基本上，只要有 …
OBIRCH的工作原理 - 知乎 - 知乎专栏
OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析及线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、 通孔 (via)下的空洞，通孔底部高电阻区等，也能 …
雷射光束電阻異常偵測 (OBIRCH) - iST宜特
雷射光束電阻異常偵測(Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡稱OBIRCH)，以雷射光在IC表面(正面或背面) 進行掃描，在IC功能測試期間，OBIRCH 利用雷射掃瞄IC 內部連接位 …
Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCH)
The Optical Beam Induced Resistance Change (OBIRCH) scans an IC surface (either front or back) with a laser beam during the IC function test period. OBIRCH employs a laser beam to …
MA-tek
IR-OBIRCH的全名为InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顾名思义为雷射光束引生的电阻变化异常检验，其原理是利用波长为1340nm的雷射扫描IC，造成扫描点被局部加温 …
EMMI和OBIRCH傻傻分不清？ - 百家号
2023年2月3日 · 光诱导电阻变化（OBIRCH，Optical Beam Induced Resistance Change），激光作用于半导体材料时，会产生两种效应，一种是热效应，另一种是光生载流子效应。如果激光 …
微光显微镜EMMI/OBIRCH的工作原理及应用范围 - 今日头条 - 电 …
2021年9月22日 · OBIRCH能快速准确的进行IC中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺陷。 其 工作原理 是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描，激光束部分 …
OBIRCH原理 - 百度文库
整設備的的好壞決定於電源雜訊大小,量測系統的好壞(抗雜訊能力) 較高阻抗的IC,適合使用定電壓源(OBIRCH) 低阻抗IC,適合使用定電流源可減少雜訊(TIVA) 接線配置[tr]TIVA, CC-BORICH, …
失效分析定位OBIRCH工作原理_检测_short_检验中心 - 搜狐
2022年11月5日 · OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析及线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、通孔(via)下的空洞，通孔 …
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