2019年6月11日 · vds 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 vgs 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 id 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。 idm 表示的是漏源之间可承受的单次脉冲

2022年9月25日 · 讨论了vgs和vds对id的影响，解释了mos管在开关应用中的工作原理，特别是在饱和区的电流控制作用。 同时，介绍了MOS管的开启电压、反型层的形成以及沟道夹断现象。

2023年8月4日 · 迁移率 的提取方法：根据线性区源漏电流的表达式，取VDS为较小的值，如0.1V时，做ID-（VGS-Vth）的曲线，求该曲线的斜率，即可求出迁移率μn的值。 线性区公式

2021年3月10日 · What do the curves and the red dot represent in the following MOSFET Id vs Vds and Vgs characteristic graph? Answer. Part A - Meaning of the curves and the operation point. The green (update: pale cyan) region is the "saturation" region. The yellow region is the "linear", or "ohmic", or "triode" region.

在实际，对于vgs≈vth，仍然存在一个“弱”反演层，并且有一定的电流从d流向s。即使对于vgs < vth, id也是有的，但它呈指数依赖于vgs。这种效应被称为“亚阈值效应”

ID为1mA时的VGS为VGS(th)，因此Ta=25℃的曲线与1mA（0.001A）的线交界处的VGS约3.8V。 技术规格中虽未给出代表值（Typ），但从图表中可以看出，VGS(th)的Typ值为3.8V左右。

繼上一篇MOSFET的開關特性之後，本篇介紹MOSFET的重要特性–閘極閾值電壓、I D -V GS 特性、以及各自的溫度特性。 MOSFET的V GS (th)：閘極閾值電壓是為使MOSFET導通，閘極與源極間必需的電壓。 也就是說，V GS 如果是閾值以上的電壓，則MOSFET可導通。 可能會有人提出疑問說這種「MOSFET導通」的狀態，到底「電流ID是多少的狀態呢？ 」。 的確，I D 會隨V GS 而產生變化。 從V GS (th) 規格值的角度來看，只要條件沒有確定，就無法保證V GS (th) 的值， …

2017年8月10日 · 继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、I D -V GS 特性、以及各自的温度特性。 MOSFET的VGS (th)：栅极阈值电压. MOSFET的V GS (th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。 也就是说，V GS 如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。 可能有人问，这种“MOSFET导通”的状态，到底是“电流I D 是多少的状态呢？ ”。 的确，I D 随V GS 而变化。 从V GS (th) 的规格值的角度看，只要条件没 …

2024年8月16日 · ID-VG曲线，即漏源电流-栅源电压特性曲线，是理解金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）工作状态的重要工具。 通过这条曲线，可以解析MOSFET的多种重要特性和工作状况，对于电路设计和分析至关重要。 下面将详细解读ID-VG曲线的查看方法及其背后的物理意义： ID-VG曲线：展示了固定漏源电压 (VDS)下，漏源电流 (ID)随栅源电压 (VGS)变化的规律。 栅极阈值电压 (VGS (th))：使MOSFET开始导通，即使得ID开始流动的最小VGS。 线性区与饱 …

2023年2月9日 · 继上一篇 MOSFET 的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、I D -V GS 特性、以及各自的温度特性。 MOSFET的VGS (th)：栅极阈值电压. MOSFET的V GS (th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。 也就是说，V GS 如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。 可能有人问，这种“MOSFET导通”的状态，到底是“ 电流 I D 是多少的状态呢？ ”。 的确，I D 随V GS 而变化。 从V GS (th) 的 规格 值的角度看，只要条 …