icpcvd 是 pecvd 技术的高级变体，其特点是能够通过电感耦合线圈产生高密度等离子体。与传统的 pecvd 工艺相比，这种方法大大提高了等离子体密度，并确保了更均匀的能量分布。icpcvd 中升高的等离子体密度有助于在明显较低的压力和温度下沉积高质量的薄膜。

等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。 其工艺原理示意图如图1所示。 图1 PECVD工艺原理. 在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。 这些分解物发生 …

icppecvd是一种借助感应耦合等离子技术的化学气相沉积设备，相比传统 pecvd 具有优良的等离子体特性，如高等离子体密度，沉积介质膜时低压强，离子能量能够独立控制等，所沉积的介质薄膜具有薄膜损伤少、击穿电压高、应力低、台阶覆盖性好、对衬底无损伤 ...

PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）是一种利用等离子体辅助的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、微电子、光学和光伏等领域。

2024年5月23日 · ICPCVD（Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition）和PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是两种用于制备氮化硅（SiNx）薄膜的常见技术。尽管两者都是等离子体增强的化学气相沉积方法，但它们在等离子体的产生、薄膜的特性和应用等方面存在一些重要区别。

2012年11月13日 · 等离子体增强化学气相淀积（pecvd）和电感耦合等离子体刻蚀（icp）是 半导体制造工业中常用的薄膜淀积和干法刻蚀技术，在微电子、光电子和MEMS 等器件制备中发挥着非常重要的作用。

射频增强等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）是一种在基底上沉积多晶薄膜的复杂技术。 这种方法利用辉光放电等离子体的能量来影响低压化学气相沉积过程，从而提高薄膜形成的质量和效率。 RF-PECVD 的起源可以追溯到 1994 年，当时日本柯尼卡公司首次提出了这种方法，并以其主要使用射频（RF）产生等离子体而命名。 射频-PECVD 工艺的特点是使用两种主要的射频电场耦合方法：电感耦合和电容耦合。 这些方法对等离子体生成的效率和效果起着至关重要的作用，而 …

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种多功能制造技术，它利用等离子体增强有机和无机化学单体的反应性，从而沉积薄膜。 这种反应性的提高使其能够使用多种材料作为前驱体，包括那些传统上被认为是惰性的材料。 PECVD 能够使用固体、液体或气体形式的前驱体，从而方便、快速、无溶剂地制造薄膜涂层。 高密度等离子体增强化学气相沉积（HDPECVD）是在利用两种电源的沉积设备中进行的。 一个是与基底直接接触的偏置电源电容耦合等离子体，另一个是作为外 …

mwecr-pecvd技术巧妙地结合了微波与磁场，利用电子的回旋共振效应在真空环境中产生高活性、高密度的等离子体，从而引发气相化学反应。 这一技术能够在低温条件下制备出高质量的薄膜。