PECVD is used to prevent moisture penetration of fiexible OLED devices. IPS PECVD has deposited SiNx thin films with optimized optical transmittance and stress for flexible OLEDs and has excellent self-cleaning performance, which can lower the production cost of the customer.

PECVD is used to prevent moisture penetration of fiexible OLED devices. IPS PECVD has deposited SiNx thin films with optimized optical transmittance and stress for flexible OLEDs and has excellent self-cleaning performance, which can lower the production cost of the customer.

PECVD TEOS不仅可以用来制作 USG, PSG, BPSG, FSG 等。 USG，是未掺杂的SiO2。 PSG，是掺磷的SiO2；BPSG，是掺硼、磷的SiO2；FSG，是掺氟的SiO2。 以上薄膜均可以用PECVD TEOS工艺来制得，通过掺入对应源材料，实现薄膜的掺杂。 磷源常使用 TMP （P (OCH3)3）或TEPO. 磷硼源常使用 TMB. 氟源常使用 SiF4 或FTES. 欢迎加入Tom的半导体制造与先进封装技术社区，在这里会针对学员问题答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文 …

GEMINI CVD system produces dielectric films with plasma-enhanced chemical vapor deposition technology such as Anti-Reflective Coating and hardmask. Our PECVD system provides excellent ALD-like superior uniformity performance.

PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。 其工艺原理示意图如图1所示。 图1 PECVD工艺原理. 在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。 这些分解物发生 …

PECVD （Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition， 等离子体增强化学气相沉积 ）是一种利用等离子体辅助的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、微电子、光学和光伏等领域。以下是PECVD的原理概况：

MWECR-PECVD技术巧妙地结合了微波与磁场，利用电子的回旋共振效应在真空环境中产生高活性、高密度的等离子体，从而引发气相化学反应。 这一技术能够在低温条件下制备出高质量的薄膜。 其等离子体由电磁波激发，频率常设为2450MHz，通过调整电磁波光子能量，可以精准控制气体分解成粒子的能量和寿命，进而显著影响薄膜的生成与表面处理机制，从而确保薄膜的结构、特性及稳定性达到理想状态。 在低气压环境中，PECVD技术通过低温等离子体在工艺腔体的阴 …

PECVD systems can produce thick dielectric films with stress below 20 MPa, refractive index tuned across a suitably wide range and measured optical loss of ≤0.2dB/cm. To maximize PECVD system productivity, both high deposition rates and high chamber cleaning rates are needed. Deposition rates of 1µm/ min or more are readily achievable

ICPPECVD是一种借助感应耦合等离子技术的化学气相沉积设备，相比传统 PECVD 具有优良的等离子体特性，如高等离子体密度，沉积介质膜时低压强，离子能量能够独立控制等，所沉积的介质薄膜具有薄膜损伤少、击穿电压高、应力低、台阶覆盖性好、对衬底无损伤等优良特性。 可以广泛应用于半导体、氧化物和有机衬底上快速和低温沉积氮化硅、氧化硅、非晶硅等功能材料。 设备技 …

2022年12月14日 · 盛美半导体宣布推出拥有自主知识产权的Ultra PmaxTM等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，预计将在几周内向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备。