100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package.

IRF540 是一种常见的 N 沟道增强型 MOSFET，用于 非常快速的开关操作 以及 放大过程。 与一般晶体管相比， IRF540 的 输入阻抗相当高，因此非常敏感。 TO-220AB 的 低热阻 和 低成本封装 很受欢迎， IRF540 可以处理高达23A的最大负载，最大负载电压高达100V DC，其沟槽技术使 IRF540 能够达到 高水平的驱动能力。 IRF540 能够执行 高速切换，用于需要高速切换负载的各种应用，例如 UPS。 IRF540 还可以作为 功放 使用，最大功耗100W，非常适合 搭建大功率音 …

IRF540N-VB价格参考￥5.89。VBsemi(微碧半导体) IRF540N-VB参数名称：类型：1个N沟道；漏源电压(Vdss)：100V；连续漏极电流(Id)：45A；耗散功率(Pd)：3.75W；阈值电压(Vgs(th))：3V；栅极电荷量(Qg)：35nC@10V；输入电容(Ciss@Vds)：2.4nF@50V；工作温度： …

IRF540N Rev. C IRF540N 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, Power MOSFET Packaging Symbol Features • Ultra Low On-Resistance-r DS(ON) = 0.040 Ω, V GS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE™ and SABER © Electrical Models - Spice and SABER © Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width ...

irf540n（nmos管）应用电路 可以在单片机和栅极之间加一个 1k 的电阻，起到限流作用； 此外，可以栅极和源极之间加一个 10k 的电阻，一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S

IRF540N Product details Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

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2025年1月8日 · 解析了IRF540N功率MOSFET的引脚图、功能参数、替代型号，并提供了PDF数据手册下载以及与IRF540N的区别对比，帮助工程师深入了解和正确应用该器件。

International Rectifier公司的IRF540NPBF为100V单路N通道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的每硅片区面积电阻，动态的dv/dt评级，坚固耐用的快速切换以及全额定雪崩，著名的功率MOSFET提供极高的效率和稳定性，用于多种应用程序. 立创商城IRF540NPBF型号页面提供型号详细中文资料，PDF数据手册在线查看和下载,中文参数，引脚图，代替型号和在线购买等信息。 买IRF540NPBF型号,上立创商城.

2017年12月8日 · The IRF540N is an N-Channel Mosfet. This mosfet can drive loads upto 23A and can support peak current upto 110A. It also has a threshold voltage of 4V, which means it can easily driven by low voltages like 5V. Hence it is mostly used with Arduino and other microcontrollers for logic switching.