
IRF640N - Infineon Technologies
200V Single N-Channel MOSFET in a TO-220 package.
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IRF640N 系列是第五代 HEXFET 功率 MOSFET,由 International Rectifier 制造。 该系列利用先进的处理技术实现了极低的单位硅面积导通电阻。 结合快速开关速度和坚固的设计,HEXFET 功率 MOSFET 为多种应用提供了高效且可靠的解决方案。
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
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IRF640N由OSEN (欧芯)设计生产,立创商城现货销售。 IRF640N价格参考¥1.0307。 下载IRF640N中文资料、引脚图、Datasheet数据手册,有场效应管 (MOSFET)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF640N Datasheet (PDF) - International Rectifier
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies | Discrete Semiconductor …
IRF640NSTRLPBF – N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK from Infineon Technologies. Pricing and Availability on millions of electronic components from Digi-Key Electronics.
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英飞凌公司的IRF640NPBF是一款200V单N沟道HEXFET功率MOSFET,TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的单位面积导通电,额定动态dv/dt,耐用的快速开关以及全雪崩额定,功率MOSFET提供极高的效率和稳定性,用于多种应用. 立创商城IRF640NPBF型号页面提供型号详细中文资料,PDF数据手册在线查看和下载,中文参数,引脚图,代替型号和在线购买等信息。 买IRF640NPBF型号,上立创商城.
IRF640NSTRLPBF (英飞凌场效应管)中文参数、引脚图及应用场景介绍
2024年6月28日 · Infineon (英飞凌)的型号IRF640NSTRLPBF(如有芯片采购或样品测试需求请联系我司)属于场效应管 (MOSFET),采用International Rectifier的第五代HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术,实现每硅面积极低的导通电阻。 这种优势,再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固的器件设计,为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的器件。 TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选,功耗水平约为50瓦。 1、低导通电阻 …
IRF640N功率MOSFET的应用与参数特性解析 - szyxwkj.com
2024年4月23日 · IRF640N 是一种性能优越的功率MOSFET,它在电子制造业中的应用非常广泛,特别是在高电压和大电流的电子电路中表现出色。 以下是对 IRF640N 在实际应用场合以及其主要参数特性的详细解析。 一、应用场景: 1. 调速器和调光器:IRF640N 能够在调速器和调光器中控制更大的电流,使其在家用电器和工业设备中调整电机速度或灯具亮度时更为高效和稳定。 2. 汽车电子: 在汽车电子领域, IRF640N 用于控制车辆内部的各种电机,例如窗户升降器和座椅 …
IRF640N Datasheet, PDF - Alldatasheet
Description: Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on)=0.15ohm, Id=18A). 34 Results. Datasheet: 160Kb/11P. Manufacturer: Fairchild Semiconductor.
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