The IR2103(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS …
STM32自举电路设计：IR2103驱动H桥MOS管实现电机控制-CSDN …
2021年10月11日 · IR2103对图中的nmos管IR7843，导通电压为2.3V。 要使得上下桥臂导通，下桥臂Q2只需要stm32发送3.3V的电压即可导通，但对于上桥臂而言，当Q1导通时，漏极D和源 …
IR2103S - Infineon Technologies
EiceDRIVER™ 600 V half-bridge g ate driver IC with typical 0.21 A source and 0.36 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. …
The IRS2103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS …
IR2103STRPBF_Infineon (英飞凌)_IR2103STRPBF中文资料_PDF手 …
下载IR2103STRPBF中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有栅极驱动芯片详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IR2103 Datasheet (PDF) - International Rectifier
The IR2103 (S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS …
深入解读IR2103资料手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024年6月6日 · IR2103是一款高性能的半桥驱动器，广泛应用于电力电子领域，特别是需要高效率、高可靠性的MOSFET和IGBT驱动电路中。 本文将对IR2103的特性、应用、封装、引脚功能 …
IR2103电路故障排查及原因分析-CSDN博客
2014年8月12日 · IR2103出现过VCC与G直通的，也有炸坏了的，有时是IRF840. 给击穿了。 不过我300V 电压还只有60V在调试，没加高电压，设计电压最高可能达400V。 坏了这么多，我还 …
ir2103典型应用电路详解（三款ir2103典型应用电路） - 全文 - IC …
2018年3月4日 · IR2103 是一 款 半桥驱动集成芯片,该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出 电路，可直接驱动两个中功率半导体器件如MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作 …
IR2103：600V高压高速MOSFET/IGBT驱动器详解 - CSDN文库
"IR2103.pdf 是IR公司的一款半桥PWM驱动芯片，适用于开关电源和电机驱动等应用场景，其特点是内置浮动栅极驱动器，可承受高达600V的电压。 " IR2103是一款高性能、高电压的半桥驱 …