栅极介质层的变迁 (Gate Dielectric) （转） - 智于博客
2019年6月15日 · 而这个Wet-RTO现在业界主流还是用AMAT (Applied Material)公司的ISSG (In-Situ Steam Generation)，据传它用湿氧长出来的GOX的quality可以媲美Dry oxide。 说起这 …
Characterization of Gate Dielectric Using Oxides Generated by in …
A new process for gate dielectric fabrication named in situ steam generation (ISSG) is reported.Based on the Deal-Grove model,an oxidation mechanism is proposed to break the Si …
Dual gate oxide formation using ISSG selective oxidation on 2/sup …
2005年10月3日 · In this study, a better understanding of dual gate oxide formation using ISSG (in-situ steam generation) on 2/sup nd/ thin oxide is introduced. ISSG oxidation will have very little …
In situ steam generation (ISSG) versus standard steam technology ...
2005年5月1日 · The ISSG process is a wet oxidation in which steam is generated in close proximity to the wafer surface in contrast to conventional furnace wet oxidation [1]. The …
The formation of ultrathin silicon oxide films using H
2002年1月1日 · Our earlier work on a H2/O2 process (ISSG) has successfully used a boundary-layer formulation in the Centura reactor [3,4] over a very wide process space. No-slip …
一种提高栅氧化物介电常数的方法 - 真空技术网
氮化后 热退火处理 (Post Nitridation Anneal, PNA)是制备等离子氮化SiON栅氧化层的一个重要步骤，主要用于修复晶格损伤并形成稳定Si-N 键，同时在氧化氛围下通过界面的二次氧化反应来 …
ISSG及其氮化工艺对NBTI效应的改善 - 豆丁网
ISSG工艺氮化是把等离子态的N+注入到多晶硅栅和SiQ2的界面，不会增加SiQ2和Si衬底的界面态，从而可以显著改善NBTI效应。 而传统炉管氧化物薄膜的氮化是用NO或者N2O把N注入 …
ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善 - 道客巴巴
2017年3月2日 · 实验结果表明:与没有经过高温 N 2 实时退火处理的栅氧化层相比，经过高温 N 2 实时退火处理的栅氧化层表面均匀度可提高 40% 左右，栅氧界面态总电荷可减少一个数量级 …
栅极材料的革命 (Gate Electrode) （转） - 智于博客
2019年6月15日 · 上个世纪70年代，MOSFET (MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单，我十年前有幸做过2.25um的Metal Gate，工艺流程就是N/P WELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT …
ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善.docx - 原创力文档
2018年4月25日 · 其中ISSG工艺分有N2和无N2实时退火处理两组，实验结束后对样品进行了测试，表 6为引入N2实时退火处理和无N2实时高温退火对栅氧化层界面态影响的比较结果。表 …
- 某些结果已被删除