2005年5月1日 · The ISSG process is a wet oxidation in which steam is generated in close proximity to the wafer surface in contrast to conventional furnace wet oxidation [1]. The technology is also interesting since providing a dielectric with a reduced thermal budget.

ISSG (In-Situ Steam Generation),全称原位水气生成,是一种新型低压快速氧化热退火技术 (RTP,Rapid Thermal Process),目前主要用于超薄氧化薄膜生长,牺牲氧化层以及氮氧薄膜的制备。

ISSG（In Situ Steam Generation）工艺是一种微纳加工工艺，也被称为原位水蒸汽氧化工艺。 它能够自主感知加工环境和所加工材料的性质，并根据这些信息自动进行工艺调整。

2023年9月5日 · It is shown that ISSG oxidation during the creation of the 2 nd oxide has a negligible effect on the thickness of the 1 st thick oxide compared with pyrogenic oxidation, which is explained by the...

2005年10月3日 · Published in: ISSM 2005, IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing, 2005. From the history of dual gate oxide formation in semiconductor industry, both thick and thin oxides are using conventional furnaces for oxide formation. In rece.

2003年12月3日 · The In-Situ Steam Generation (ISSG) process addresses the limitations of other thermal oxidation methods through minimal consumption of the active area while effectively rounding the top and bottom trench corners of the STI …

由于原子氧的强氧化作用,ISSG工艺中最终得到的氧化物薄膜体内缺陷少,界面态密度也比较小,氧化物薄膜的质量比较高。 ISSG氮化工艺与传统炉管氧化物薄膜的氮化工艺的主要区别在于N所集中的位置不一样。

This paper investigates low temperature in situ steam generation (ISSG) oxidation, the correlation between the thickness growth rate and temperature, pressure,

2016年4月2日 · ISSG（In-SituSteamGeneration）,全称原位水气生成，是一种新型低压快速氧化热退火技术（RTP，RapidThermalProcess），目前主要用于超薄氧化薄膜生长，牺牲氧化层以及氮氧薄膜的制备。 本文在对ISSG工艺特性做了简单分析的基础上讨论了ISSG氧化物薄膜的可靠性问题，也讨论了ISSG工艺及其相关的氮化工艺对NBTI的改善原理。 2 ISSG工艺特性简介. ISSG采用掺入少量氢气的氧气作为反应气氛。 在高温下氢气和氧气产生类似于燃烧的化学反应，生 …

2018年4月25日 · 与未进行N2实时高温退火处理的ISSG工艺相比较， 有N2实时高温退火处理对SiO2的均匀性有显著的提 高，膜厚标准偏差值从0.14降到了0.08，其均匀性提高了40%以上。