2023年5月4日 · With the essential physics captured, FTJ figure-of-merits (FoMs) are accessed with not only tunneling electroresistance (TER), but also power consumption. Design parameters from FE layer thickness, polarizations, and coercive field to silicon doping and metal work functions are studied, with their impacts on key FTJ FoMs evaluated.

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2025年1月15日 · 铁电隧道结 （FTJ） 因其低功耗和非易失性而成为后摩尔非易失性存储器的竞争候选者，其性能在很大程度上取决于铁电材料和金属电极之间的接触条件。 近年来二维材料的发展提供了新的机会，例如功能性金属层，这对传统的 FTJ 系统来说是一个挑战。 在这里，我们介绍了新发现的铁电金属 WTe2 作为构建 WTe2/α-In2Se3/Au 铁电半导体结的电极。 范德华电极中的铁电体和隧道结之间的相互作用导致了新的器件特性的出现，包括伴随的多电阻水平、低开关 …

具有连续电场可控电阻状态的基于铁电隧道结（ftj）的忆阻器被认为是未来高密度存储器和先进的神经形态计算架构的有希望的候选者。 然而，刚性单晶衬底的使用以及外延FTJ薄膜的高温生长构成了在柔性计算设备中使用这种异质结构的主要障碍。

2024年9月13日 · ftj即基于隧穿结的铁电存储器，目前主要处于前沿研究阶段。ftj面临的主要挑战是其较小的读电流，这限制了其速度潜力。尽管如此，ftj在神经形态计算等低功耗应用中显示出巨大潜力。

铁电隧道结（ftj）是一种以铁电超薄膜为势垒层，在其两面夹以电极的异质结构。ftj结构有2个最明显的新特性：量子隧穿效应和电阻反转效应。施加电压的变化会导致铁电薄膜晶格的应变，而晶格应变决定势垒层厚度的变化，因此电压的变化影响隧穿电流的变化。

铁电隧道结（ftj）因其基于超薄铁电体自发极化方向的快速运行及其简单的两端结构而成为当前研究兴趣的主题。 由于FTJ具有非破坏性读出、运算速度快、能耗低和高密度集成等优点，它们最近被认为是非易失性下一代存储器的有希望的候选者。

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2024年12月5日 · In this article, we have designed an optimized ferroelectric tunnel junction (FTJ) device structure that inserts 3-nm Al2O3 between Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) films. The Al2O3 interlayer can block the longitudinal growth of HZO grains and increase the number of ferroelectric domains.