2024年9月12日 · 横向扩散金属氧化物半导体晶体管 （Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS）具有击穿电压高、开关速度快、易于集成等优点。 功率MOS器件 根据电流的流向不同可以分为LDMOS和 垂直扩散金属-氧化物半导体场 (Vertically-Diffused Metal-Oxide Semiconductor ，VDMOS)。 其中，VDMOS 更多地被用在分立器件中，如逆变器、电子开关等. 而LDMOS 凭借其极易集成的特点，以及为了实现器件功率控制和耐高压的特性，而更 …

ldmos 的精细布局可使栅极—漏极电容最小，因此减小了反馈电容（c rss ），这是 ldmos 在射频无线子系统应用中的主要优点。在一个 ldmos 器件中，电流几乎直接从源极流到漏极，与垂直器件相比较，减小了电流堆积。

A typical LDMOS FET IV curve (Current, Drain-to-Source (IDS) versus Voltage, Gate-to-Source (VGS)) relationship is shown in Figure 1. The gate leakage current of the traditional LDMOS device is very small (less than one micro amp). In the MHVIC915 device, the gate current is relatively large due to the supply requirements of the built-in ...

2023年8月12日 · LDMOS—— Lateral Drain-extended MOS 是在 DEMOS 的基础改变了几何架构，剖面图如图所示，可理解 LDMSO 是把 DEMOS 中轻掺杂的延展层进一步扩大至一个横向的漂移区，利用这个横向的漂移区来提高 drain 端耐压，把 bulk (p-body) 缩小，并包裹住 source 区，缩小了 length 的长度，所以 LDMOS 导通电阻相比 DEMOS，Rdson 很小，其代价就是阈值电压的提升。 以下表格为 DEMOS 和 LDMOS 的对比总结.

We present state-of-the-art RF performance of the LDMOS transistor measured with a load-pull test setup, achieving class-AB drain eficiencies of 70 % at 2 GHz for on-wafer and packaged devices. Furthermore, the results for several class-AB and Doherty amplifier implementations constructed with this technology are shown.

2021年6月18日 · ldmos器件特别适用于cdma、w-cdma、tetra、数字地面 电视等需要宽频率范围、高线性度和使用寿命要求高的应用。 卓越的效率，可降低功率消耗与冷却成本

2016年11月1日 · LDMOS ( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。 与双极型晶体管相比,LD MOS管 的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。 这表明对于相同的输出功率 …

2024年1月27日 · 本文详细介绍了MOS管的输出特性曲线，包括截止区、恒流区（饱和区）和可变电阻区，以及如何通过Ugs电压控制电流Id。 同时提到了转移特性，展示了Uds不变时Id与Ugs的关系。 大家好，我是砖一。 经常做项目过程中，会遇到 MOS管 的Datasheet，一般都会有很多曲线，其中比较重要的是输出特性曲线，下面我给大家分享一下，如何看这条曲线。 我们知道， 三极管 是利用Ib的电流去控制电流Ic的，所以说三极管是电流控制电流的器件。 而MOS管是利 …

定义 使沟道中反型载流子浓度与衬底中多数载流 子浓度相等时所需要的栅源电压定义为阈值 电压。 源漏区都接地，沟道刚刚产生，厚度忽略。 (VGS. VTHN )2. 这个公式是最简单的饱和区公式，按此公式饱 和区曲线是水平的。 f为什么饱和后ID仍随VDS增加？ ? ? ? ? ID. V ( y) ? VTHN )VDS. 处于线性区的条件 VGS ? VDS ? VTHN. 度减小。 ? ? ID. VTHN )2 1 ? ? (VDS. VDS , sat ) 数，μn是电子迁移率 ，n是电子浓度 ，q 是电子的电荷量。 ? n 是浓度梯度。 ID等于电流密 …

2024年10月29日 · LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体 ...