2024年9月22日 · 电子工程领域中，轻掺杂漏极（Lightly Doped Drain, LDD）结构是一种用于改善晶体管性能的技术，尤其在场效应晶体管（FET）中应用广泛。LDD结构通过在漏极与沟道之间引入一段低浓度掺杂的半导体区域，来减少电场强度...

LDD是一项通过在TFT的源极和漏极之间添加轻掺杂区域的技术，它的串联电阻增加，从而大大减小了漏极的电场，从而导致热载流子效应和短沟道效应大大降低。 但是，如果未进行优化，则引入LDD结构可能会对LTPS TFT的特性产生一些不利影响。 在本文中，我们研究了不同的LDD结构对TFT性能的影响，从而找到了最佳的LDD结构。 低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）由于其更高的载流子迁移率和更好的导电性而在平板显示器和其他领域具有广阔的应用前景。 出于针对 …

2019年10月4日 · To alleviate and eventually to eliminate these two effects, we introduce and implement the Lightly Doped Drain (LDD) structure in the LTPS TFT device. LDD is a technology by adding lightly doped region between source and drain in a TFT, its series resistance is increased, thereby greatly reducing the electric field of drain, resulting in much ...

tft结构分类 （1） Self Align 类型：优点是寄生电容小，开关响应速度快，适用于PMOS TFT （2） LDD 类型：优点是Ioff小，Kink Effect轻微，Hot Carrier效应小，缺点是Ion较小

To alleviate and eventually to eliminate these two effects, we introduce and implement the Lightly Doped Drain (LDD) structure in the LTPS TFT device. LDD is a technology by adding lightly doped region between source and drain in a TFT, its series resistance is increased, thereby greatly reducing the electric field of drain, resulting in much ...

2023年8月1日 · tft lcd（薄膜晶体管液晶显示器）是一种广泛使用的显示技术，它结合了薄膜晶体管（tft）和液晶显示（lcd）技术。tft lcd的主要特点是使用tft矩阵来控制施加到每个像素的电压，从而实现高分辨率、亮度和颜色精度。

2016年1月23日 · temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin-film transistor (TFT) is investigated. An anomalous gate-to-source capacitance phenomenon is observed: first, the capacitance decreases,

2015年8月8日 · HaloLDD结构，有效抑制了P．SiTFT的一些短沟道效应。 论文首先研究了HaloLDDP．Si. 构的P．SiTFT，LDDP．SiTFT和HaloP．SiTFT的性质做了系统对比。 比较结果表明Halo. 明显的优势。 随后分析了HaloLDD结构的工艺条件，如LDD结构的注入剂量、长度， 流、关态电流、开关比等电学性能的关系，为优化器件参数提供了直接的依据。 最后， 简单介绍了P．SiTFT在液晶显示领域的应用和前景。 proposed．. applicationranges．. …

在研究中，我们研究了带有bsm的n型ltps tft的异常扭结效应，特别是与源电极接触的扭结效应。通过实验和tcad仿真，我们确认并分析了这种扭结特性是由与源bsm接触的源引起的，并且强烈依赖于主动缓冲层的厚度，ldd长度和bsm长度。

We fabricate a new polycrystalline silicon thin-film transistor (poly-Si TFT), called a gate-overlapped lightly doped drain (GO-LDD) TFT, which reduces the leakage current without sacrificing the ON current.