2025年2月22日 · LDE, Layout Dependent Effect 就是“版图相关效应”或“布局依赖效应”，指的是在集成电路等电子电路设计及制造领域，电路的性能、制造良率以及电磁兼容性等方面会受到电路版图布局情况影响的一系列效应。

2024年12月26日 · Layout Dependent Effect（LDE）是集成电路（IC）设计中的一种复杂现象，它指制造工艺中的物理和化学过程对集成电路性能的影响。本文详细探讨了LDE的基础知识和理论，包括其定义、产生原理以及在不同制造工艺下的...

In this paper, we analyze the impact of Layout Dependent Effect (LDE) observed on MOSFETs. It is shown that changing the Layout have an impact on MOSFET device parameters and reliability. Here, we studied the Well Proximity Effect (WPE), Length of diffusion (LOD) and Oxide Spacing Effect (OSE) impacts on device MOSFET parameters and reliability.

2019年1月16日 · 给大家分享几篇关于LDE效应的文章，分析的到位，对以后进行电路设计或者版图设计很有帮助！ sub-40nm LDE(Layout Dependent effect)效应分析 ,EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

2023年10月31日 · LOD（Length of Diffusion）Effect，也称为STI Stress Effect，顾名思义就是有源区外的STI隔离会对其带来应力作用，从而影响 晶体管 阈值电压，通常用Poly到有源区边界的距离（SA/SB，如Fig9所示）来描述，如图1所示。 Fig1. LOD效应. 2.2 WPE. 集成电路 在制造过程中，对阱作离子注入时，注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘，因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性，这会导致阱区中的MOS管的阈值电压随晶体管与阱边缘的距 …

2024年11月13日 · LDE 是指在集成电路的布局过程中，由于几何尺寸的变化以及器件相对位置的变化，导致的一些不可忽视的电气性能差异。 LDE 的一个典型例子是在集成电路中，器件靠近晶体管阱边缘时所产生的效应。 通常，晶体管的阈值电压（Vt）是影响其性能的关键参数之一，而这个值会随着器件与阱边缘的距离变化而发生显著的波动。 当器件靠近阱的边缘时，离子注入过程中，部分注入的离子会被抗蚀剂的侧壁散射，从而使得器件的阈值电压发生变化。 这个效应导 …

2024年12月26日 · LOD效应，也称作STI应力效应，是指在有源区（如晶体管区域）外围的浅槽隔离（STI）对晶体管产生应力作用，进而影响晶体管的阈值电压。 这种效应通常通过多晶硅栅到有源区边界的距离来表征。 STI隔离带来的应力会因为其位置的不同而对晶体管产生不同程度的影响。 WPE效应指由于阱离子注入过程中的光刻胶溅射现象，导致阱边缘的掺杂浓度非均一性。 这种非均一性表现为与阱边缘的距离不同，晶体管的阈值电压会有所变化，从而影响电路性能。 …

2022年5月31日 · 随着先进半导体技术中器件集成密度的提高，布局相关效应 (LDE) 已成为影响器件级和电路级性能的关键。在本简报中，我们报告了 LDE 对 14 nm FinFET 组合标准单元的影响研究，以促进设计技术协同优化 (DTCO) 过程。

2022年7月1日 · Test structures of four stress-related layout dependent effects (LDEs) were designed based on their mechanisms. It was found that LDEs cause 17.8% of maximum saturate current shift and 4.6% of maximum threshold voltage shift. Customized strategies for FinFET circuit design are proposed to alleviate variations caused by LDEs before tape-out.

2015年1月21日 · 现在只是看到一篇论文上说，lde有sti应力效应、多晶硅间距效应、边缘效应、阱临近效应，这些效应会对电路产生影响。 除了这几种之外，LDE还有哪些？