Master of Business Administration - Virginia Wesleyan University
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分子束外延系统电子束蒸发MBE系统-OCTOPLUS 500 EBV - 埃伯仪器
OCTOPLUS 500 EBV MBE系统是公认的非常适合于金属、磁性材料、氧化物、拓扑绝缘材料及Si/SiGe异质结构材料生长应用研发与生产。 标准的OCTOPLUS 500 EBV MBE有10个呈放射状分布的源孔，我们建议8个源孔用于束流源、升华源或者相关组件。 2个DN250CF大的源孔用于电子束蒸发枪，电子束蒸发也可以是多孔的电子枪- EBVM。 快速抽真空进样室配有水平磁力杆传输系统，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下，简便地进行样品传输。 可以配备 RHEED 系统原 …
MBE-Komponenten标准MBE系统-OCTOPLUS 500 - 旭为光电
OCTOPLUS 500 MBE系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发专业分子束外延系统。 样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。 标准的OCTOPLUS 500有11个呈放射状分布的源孔，可以根据需要增选3个源孔。 基于于团队成员的多年研发经验，我们发展和制造了OCTOPLUS 500 MBE系统及各种功能的源炉。 每个产品都是由MBE专业人才进行组装和测试的。 OCTOPLUS 500 MBE系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族 …
分子束外延生长系统-500 - 玻色子（北京）有限公司
mbe系统用于制备表观膜、超薄膜、化合物半导体、金属、介质、有机化合物和新材料。 可选配液氮冷却腔体和腔室，可选装线性快门和晶振膜厚仪。 详细参数：
MBE系统-费勉仪器科技（上海）有限公司
MBE-500 主要采用氩弧焊加工的圆柱形316不锈钢腔体，腔体顶部法兰尺寸为DN400CF，配置10个以上的蒸发源。 系统预留多种法兰口，安装法兰兼容RGA、RHEED、BFM等多种原位测量。 模块化设计，设备多功能性强，束流挡板瞬时可控，可实现2 inch高质量薄膜生长。
标准MBE系统-OCTOPLUS 500、分子束外延系统 - 埃伯仪器
OCTOPLUS 500 MBE系统是公认的非常适合于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料生长应用研发与生产。 OCTOPLUS 500 MBE系统的主要特点是极高的可靠性和普适性。 标准的Octoplus 500有11个呈放射状分布的源孔，可以根据需要增选3个源孔。 快速抽真空进样室配有水平磁力杆传输系统，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下，简便地进行样品传输。 我们非常乐意一起讨论MBE的参数规格并给出相应的合理建议。 如有问题或需要详细的参数规格说明，请联系我们的销售 …
MBE-500 - Boson Instruments
The MBE system is used to prepare apparent films, ultra-thin films, compound semiconductors, metals, dielectrics, organic compounds and new materials. The system uses liquid nitrogen to cool the cavity and chamber, and can optionally be equipped with a …
分子束外延系统（MBE）OCTOPLUS 500 EBV-埃伯仪器 - 百家号
2024年8月27日 · octoplus 500 ebv mbe系统用于在si衬底上生长高质量si/sige材料，支持多种样品尺寸，配有束流源和电子束蒸发源，适合多种材料生长应用，具有原位表征能力和强大的技术支持。
德国MBE-Komponenten 分子束外延系统 OCTOPLUS 500 - yiqi.com
2025年2月7日 · OCTOPLUS 500 MBE系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发专业分子束外延系统。 样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。 标准的OCTOPLUS 500有11个呈放射状分布的源孔，可以根据需要增选3个源孔。 OCTOPLUS 500 系统 是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发的。 样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。 OCTOPLUS 500 MBE系统是公认的非常适合于III/V族， II/VI族或其 …
秒懂分子束外延(MBE)工艺及设备原理-行业新闻-众壹云-加速AI智造
2024年1月16日 · 分子束外延 (Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子束外延的核心组成，包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。 在这个过程中，晶体衬底被加热升温，各种分子束流被发射到衬底表面发生相互作用，最终在衬底上结合成单质或化合物半导体，外延层的厚度可以控制在10E-10m至10E-6m的量级之间，也就是纳米级别的厚度。 在半导体行业我们常听到的光刻机，可实现为3nm或5nm半导体工艺，分 …