2024年4月22日 · MOS管两种diode的对比 这里的两种diode即MOS管的二极管连接型器件和MOS管的体二极管。 本质上来说： 二极管连接型器件是属于表器件，走的是表电流，电流从反型层走（即沟道）；

这个电路是由域 MOS始终工作在饱和区，然后能当电阻使用（因为MOS的体积比一般电阻小，器件规格限制所以用MOS更好）如图 (a)，Gate 和 Drain 的电势相等，所以必定工作在饱和区，以 Source 端为外部电路连接的端口…

MOS管，是 MOSFET 的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为 NMOS 和 PMOS 两种。

2022年10月10日 · MOS管导通，原理就是因为栅极吸引了P型衬底里面的少子（电子），形成了导电沟道，这个沟道想想也应该比较窄，但是它已经能够支撑起Id的电流了（MOS管导通时电流，每个NMOS都有这个参数）。

9.2 MOS Diode Capacitance Model Source and drain junction capacitance can be divided into two components: the junction bottom area capacitance C jb and the junction periphery capacitance Cjp. The formula for both the capacitances is similar, but with different model parameters. The equation of jb C includes the parameters jp such as Cj, Mj, and Pb.

2021年11月21日 · 原理分析 如下图所示，左边为NMOS，右边为PMOS，由 MOS管 的结构可以看出，其衬底B与漏极D整好构成一个PN结，这个PN是由于MOS结构天然而成的，如果将MOS管的各个端进行特殊的连接，就可以得到等效的二极管。 电路仿真 NMOS电路连接方法

Diode-Connected MOSFET Figure 1 shows MOSFET diode and its U-I characteristic. The connection between the gate and the d. ain ensures that the transistor is in saturation (if it is in strong invers. ssat I = Ids(Vgst, Vds)(1 + ) VA By substituting Vgs = Vds = V. Strong Inversion MOSFET with con.

2020年6月5日 · 文章浏览阅读1.3w次，点赞9次，收藏24次。 博客围绕二极管连接的MOS管展开，提到求其输出电阻时可采用电压 - 电流负反馈。

MOS Diode When the MOSFET has the gate connected to the drain, it acts like a diode with characteristics similar to a pn-junction diode. i + vGS = v

A basic MOS consisting of three layers. The top layer is a conductive metal electrode, the middle layer is an insulator of glass or silicon dioxide, and the bottom layer is another conductive electrode made out of crystal silicon.