MTJ与CMOS集成：理解MRAM的工作原理与存储机制-CSDN博客
2020年11月30日 · 目前主流的MRAM利用巨磁阻效应 ( GMR）和磁性隧道结 (MTJ)）的隧穿电阻效应来进行存储。以MTJ为例,其元胞结构包括自由层、隧道层和固定层3个层面（如图1所示) …
磁隧道结(MagneticTunnelJunction,MTJ),阐述其基本 原理与技术发展历程,然后探讨近期在界面垂直磁各向 异性、双界面结构磁隧道结和新型自旋轨道矩写入技
High TMR and HC can be achieved by MTJ stack optimization and etch process tuning. 20nm bits with highest TMR of ~ 153% and Hc ~ 850 Oe. D (data retention) ~ 50 for ~ 20nm. STT MRAM …
Realization of Magnetic RAM using Magnetic Tunneling Junction …
2011年7月7日 · Magnetic Tunneling Junction (MTJ) is the basic building block of the MRAM which is used to store information extracting the two-valued resistance property. With the discovery …
台积电STT-MRAM技术细节 - 知乎 - 知乎专栏
在ISSCC 2020上 台积电 呈现了其基于 ULL 22nm CMOS工艺 的32Mb嵌入式 STT-MRAM。 该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力 …
Achieving over 95% yield of sub-1 ppm BER with retention over 10 …
Magnetic tunnel junction (MTJ) based spin transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM) has been gaining tremendous momentum in high performance microcontroller …
Asymmetry of MTJ switching and its implication to STT-RAM …
We systematically analyze the root reasons to form the asymmetric switching of the MTJ and study their impacts on STT-RAM write operations. These factors include the thermal-induced …
a function of magnetic tunnel junction (MTJ) characteristics and target memory specifications, to explore the design margin of a one-transistor-one-MTJ (1T-1MTJ) memory cell for spin-
技术前沿：华为、台积电、英特尔吹爆的MRAM存储器技术是个啥？
2024年3月22日 · 与传统的半导体随机存取存储器（ram）不同，mram使用磁性隧道结（mtj）作为存储单元，通过改变磁化方向来记录二进制数据。 MRAM也是一项较为古老的技术，上世纪 …
MRAM 能否成为未来唯一且通用的存储器？ - 知乎专栏
stt-mram芯片还需要平衡电流、 mtj 以及误码率等三者的关系如下： 从结构上看，STT-MRAM 存储单元的核心是一个 MTJ，这个 MTJ 是由两层不同厚度的铁磁层及一层非磁性隔离层（几纳 …