MBCFET，三星突破3nm的关键技术！ - 知乎专栏
超越摩尔定律，三星声称凭借其最新架构——多桥通道 场效应 晶体管 (MBCFET)，在 3nm 工艺节点方面取得了业界第一。 半导体行业的历史很大程度上是 摩尔定律 定义的缩小节点尺寸的历 …
3nm GAA MBCFET™: Unrivaled SRAM Design Flexibility
One of the key topics at the event was 3nm Gate-All-Around (GAA) Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistor (MBCFET™) technology and the Static Random Access Memory (SRAM) …
拯救摩尔定律：一文讲解GAA 芯片技术 - 知乎 - 知乎专栏
三星还给自家 GAA 技术取了个独特的名字： Multi-Bridge Channel ，简称 MBCFET。 三星表示，他们会在 3nm 这一节点上使用 MBCFET 技术。 MBCFET 相比纳米线技术拥有更大的栅极 …
3nm GAA Technology featuring Multi-Bridge-Channel FET for
2018年12月5日 · Three representative superior characteristics of MBCFET compared to FinFET have been demonstrated — better gate control with 65 mV/dec sub-threshold swing (SS) at …
3nm更进一步！三星展示3nm GAE MBCFET制造细节，明年推出！ …
三星展示了256Mb 3nm MBCFET芯片：性能、密度提升，功率降低. 在即将到来的3nm制造工艺中， 三星晶圆厂 将成为第一家开始使用环绕栅场效应晶体管 (gate-all-around field-effect …
三星MBCFET：为提升晶体管性能、减少功耗和面积打开大门
mbcfet™ 推动 gaa 技术演进 三星从平面工艺向 FinFET，在多个方面为半导体制造工艺注入新动力。 利用 FinFET 架构的优势，三星克服了限制平面晶体管的短沟道效应。
A novel multibridge-channel MOSFET (MBCFET): fabrication …
We have demonstrated a novel three-dimensional multibridge-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MBCFET). This transistor was successfully fabricated using a …
MBCFET，三星突破3nm的关键技术！ - 电子工程专辑 EE ...
2022年7月12日 · 近日三星宣布正式量产全球第一个3纳米工艺节点。超越摩尔定律，三星声称凭借其最新架构——多桥通道场效应晶体管 (MBCFET)，在 3nm 工艺节点方面取得了业界第一。 …
Samsung Opens the Gate to Transistor Performance, Power, and …
With the introduction of multi-bridge-channel FET (MBCFET™) utilizing nanosheets, Samsung again took a leap forward in transistor architecture making it possible to deliver flexible …
如何评价Planar FET→FinFET→GAAFET→MBCFET工艺路线图 ... - 知乎
把 mbcfet 去掉，它就是gaa的一种形式，且是最易制造的一种，特点是能承载更大电流，但栅控能力不够wire强；另外中间还要插个 soi系列 。 这些fet结构上的改进都只是基于两点：1，尽量 …