2022年5月31日 · Abstract: A typical stack bonding process of HBM core dies is 1) lamination of nonconductive film (NCF) over the bumps of core dies, 2) thermal compression bonding (TC bonding) of core dies, and 3) molding EMC around stacked dies. The main advantage of TC bonding is being able to control joint void by pre-filling the bump area with NCF ...

2024年4月26日 · 散热是 hbm 产品发展的关键瓶颈之一，mr-muf 工艺下 hbm 的散热 性能更好，主要是由于：①散热凸点（bump）更多，②不再使用 ncf， 使用有优良导热性能的塑封料作为间隙填充材料，相当于 tcb-ncf 下 hbm 需要穿 2 层衣服（ncf 和 emc），而在 mr-muf 工艺下 hbm …

We employ FEM(Finite Element Method) simulation to investigate the degree of stress created by a thermal load in HBM packages. Simulation is also employed to model the path by which moisture is absorbed into the NCF-Si interface.

2024年3月29日 · NCFは、高性能半導体に搭載されるHBM ※2 と呼ばれるメモリーを、接続しながら多段積層するために使用されます。 NCFには接着力とデバイスの接続信頼性に加え、サブミクロン単位の厚み精度が要求されます。 当社はNCFの前身にあたるダイボンディングフィルムの開発・製造で長年培った技術、及び経験を生かし、要求される品質を実現しています。 TIMは、高性能半導体の放熱用に使用されます。 TIMには、発熱するチップの熱を素早く放熱する熱 …

In this paper, mass reflow bonding with molded underfll process for chip to wafer stacking of HBM was studied. MUF material and key process parameters were optimized, and 8Hi HBM was successfully demonstrated through MR-MUF method. PKG reliability was verified, and thermal characteristic of HBM was also evaluated.

non-conductive film (NCF) underfills must be formulated for process compatibility, the assurance of good solder joint formation and void-free gap filling for maximum effectiveness. This paper will discuss recent

2024年4月3日 · レゾナックは、ai半導体など高性能半導体に向けた絶縁接着フィルム「ncf」と放熱シート「tim」を増産する。 設備投資額は約150億円を予定しており、増産ラインは2024年以降にも順次稼働の予定。

2017年1月26日 · TCB technology adopts NCF to construct HBM by stacking TSV microbumped flip chip. The stacking process also can consider no-clean flux or epoxy flux for an alternative building block. Encapsulation material can be applied through wafer-level packaging process or by dispensing epoxy flux on substrate.

In this study, 100% bump joint interconnection in die stacking is achieved by optimizing TCB parameters. Meanwhile, NCF can fully fill the gap between chips and pass C-SAM inspection. NCF thickness is optimized to ensure the minimum bleeding out.

1 天前 · 封装技术成关键战场，混合键合或成未来趋势。hbm发展方向聚焦先进制程、存储外包化、存算一体及多元化应用场景。 ... tc-ncf（热压键合非导电膜）是一种关键的tsv互连工艺，能够通过热压键合工艺结合非导电膜，在芯片之间提供高可靠性的电互连，同时减少 ...

2022年9月27日 · CINNO Research产业资讯，SK海力士在新一代高带宽内存(HBM，High Bandwidth Memory)市场上，正展开乘胜追击。其秘诀正是得益于MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技术。通过自主研发的这项技术，SK海力士不仅击败了竞争对手美光半导体

2023年2月9日 · 随着高性能半导体需求的不断增加，半导体市场越来越意识到“封装工艺”的重要性。 顺应发展潮流，SK海力士为了量产基于HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）的先进封装产品和开发下一代封装技术，尽力确保生产线投资与资源。

三星与美光在 HBM 封装上均采用 TC-NCF（基于热压的非导电薄膜 Thermal Compression - Non Conductive Film）工艺，该过程需要高温高压环境将凸点（bumps）推入非导电薄膜，在单个 DRAM高度减少的环境下更易导致芯片翘曲。

2024年11月29日 · 热压键合机TC Bonder（Thermal Compression Bonding）是一种用于 半导体 封装过程中热压键合的专用设备。 在高带宽内存（HBM）的制造过程中，TC Bonder通过施加热量和压力将多个 DRAM 芯片堆叠在一起，实现芯片间的 电气 连接。 根据填充材料的不同，热压键合又可以分为TC-NCF, TC-NCP, TC-CUF, TC-MUF等等。 取决于基板材料的不同，热压键合又可以分为Chip-to- Sub stra te (C2S) ，Chip-to-W afe r (C2W)，Chip-to-Chip (C2C) 和Chip-to …

2024年7月30日 · 为解决这一问题，SK海力士取得了前所未有的突破，开发出了一种名为批量回流模制底部填充（MR-MUF, Mass Reflow-Molded Underfill） 1 的新型创新封装技术，可以有效改善芯片的散热性能。 自2019年以来，MR-MUF技术被应用于SK海力士开创性产品HBM 2 中，使公司在市场竞争中脱颖而出。 作为唯一一家采用MR-MUF技术的公司，应用该技术的HBM产品的散热性能获得客户一致好评，SK海力士毫无疑问地成为HBM市场的领导者。 1批量回流模制底部 …

2025年1月14日 · HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽内存，作为全新一代的CPU/GPU内存芯片，其本质上是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM Die堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。 在结构上，HBM是由多个DRAM堆叠而成，主要利用TSV（硅通孔）和微凸块（Micro bump）将裸片相连接，多层DRAM die再与最下层的Basedie连接，然后通过凸块（Bump）与硅中阶层（interposer）互联。 同一平面内，HBM与GPU …

2025年3月11日 · 目前，三星和美光在hbm制造的后端工艺环节均采用了“tc-ncf（非导电胶膜）”技术。 这一工艺是在各层DRAM之间嵌入NCF，并通过热压工艺（TC Bonding）从上至下施加热压，NCF在高温下熔化，起到连接凸点并固定芯片的作用。

2024年4月19日 · TC-NCF 是一种有凸块的传统多层 DRAM 间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用 TC-NCF 生产相同层数的 HBM 内存会相对更厚。 三星表示，其前不久成功采用 TC-NCF 键合工艺推出了 12 层堆叠的 36GB HBM3E 内存。 在该内存生产过程中，三星针对发热进行了结构优化，保证高堆叠层数下 HBM 的可靠性。 除继续使用 TC-NCF 键合外，根据 IT之家此前报道，未来三星在 HBM4 内存生产中也会应用混合键合， 采用“两条腿 …

2024年11月20日 · 高带宽存储器(High Bandwidth Memory，HBM)加工制造流程主要包括前端晶圆制造加工，以及后端Bumping、Stacking和KGSD测试环节。 其中，相较于平面DRAM的制造流程，TSV(硅通孔)技术是HBM实现芯片垂直堆叠的核心工艺。

1 天前 · hbm4技术竞争进入新阶段，sk海力士率先推出12层样品并加速量产，三星计划下半年跟进，美光瞄准2026年。封装技术成关键战场，混合键合或成未来趋势。hbm发展方向聚焦先进制程、存储外包化、存算一体及多元化应用场景。sk海力士领先优势：全球首发12层hbm4样品，良率达70%，2025年量产进度领先三星 ...