浅析下一代NAND接口新特性SCA - 知乎 - 知乎专栏
固态技术协会 JEDEC新发布了JESD230G规范，预计NAND厂商会在下一代NAND（300L以上），支持新的NAND接口特性SCA。 NAND接口从ONFI 1.0版本到 ONFI 5.1版本，接口速度 …
NAND FLASH一文详细介绍 - CSDN博客
2024年8月27日 · NAND Flash是一种非易失性存储设备，具有容量大、体积小、功耗低等优点，自 1989 年东芝公司首次提出以后，被广泛地应用于各种存储卡、电子设备、固态硬盘（SSD）之 …
3D NAND闪存技术的架构和工艺集成概述（上） - 知乎专栏
3D NAND闪存架构已经以各种结构实现，根据堆叠方向可分为两类：沟道堆叠和栅极堆叠。 图1显示了3D NAND闪存的结构-年份分类。 东芝宣布推出首款基于栅极堆叠结构的3D堆叠闪存， …
EM-30 | Swissbit 的管理型 NAND 解决方案将高端控制器、可靠的 NAND …
Swissbit 的管理型 NAND 解决方案将高端控制器、可靠的 NAND 闪存和先进的固件结合到单一封装中，实现小外形规格、高性能存储
IOL1 is the current necessary to guarantee the high to low transition in a 30 ohm transmission line on the incident wave. IO is tested under conditions that produce current approximately one …
The 74F3038 is a high current Open-Collector Line Driver composed of four 2-input NAND gates. It has been designed to deal with the transmission line effects of PC boards which appear …
【FLASH存储器系列十二】Nand Flash芯片使用指导之二_带cache的nand …
2023年3月11日 · 要从NAND闪存阵列读取页面，先将00h命令写入命令寄存器，然后将n个地址周期写入地址寄存器，并以30h命令结束。 当数据从存储阵列传输到缓存寄存器时，选定的裸 …
NAND Flash学习总结 - CSDN博客
闪存存储器主要分为nor型和nand型两种，nor型闪存有独立的地址线和数据线，它支持按位进行访问，具有高可靠性且随机读取速度较快，但nor闪存的擦除和写操作速度较慢、容量小、价格 …
采用30纳米工艺设计，三星开发成功全球首款64Gb NAND闪存
2007年11月1日 · 三星开发成功了全球第一个64gb多层单元nand闪存芯片。 该芯片采用30纳米工艺设计。 据三星介绍，这标志着存储密度连续第八年每年提高一倍，连续第七年纳米尺度 …
74HCT30D (8-input NAND gate) - Nexperia
74HCT30D - The 74HC30; 74HCT30 is an 8-input NAND gate. Inputs include clamp diodes. This enables the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of VCC.