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近期，2025年 IEEE国际固态电路会议 （ISSCC）的日程中透露出，三星正在研发400L第十代V-NAND技术，并将在ISSCC会议上发布。 据有关消息分析，该NAND也将采用 WF-Bonding键 …

2025年3月8日 · 通过3.1节 和3.2节 对 NOR 和 NAND 结构和特点的解析，我们可以得出 图3.7 和 图3.8 中的结论，更详细的比对请见参考文献. FLASH 的可靠性问题已经超出了本文需要讲解 …

2024年10月21日 · 2D NAND主流技术是浮栅（Floating Gate，FG），通过减小特征尺（ (e.g. 20nm到16nm) 提高存储密度；3D NAND主流技术是电荷捕捉（Charge Trap，CT），通过提 …

3D NAND闪存架构已经以各种结构实现，根据堆叠方向可分为两类：沟道堆叠和栅极堆叠。 图1显示了3D NAND闪存的结构-年份分类。 东芝宣布推出首款基于栅极堆叠结构的3D堆叠闪存， …

2025年2月23日 · 据悉，该芯片使用最新的 bics 3d nand 闪存，搭配的是铠侠自研的ufs 3.1主控，可选 128 / 256 / 512gb 和 1tb 容量，支持写入加速、深度睡眠和性能节流通知等标准特性。

2020年7月25日 · 逻辑电路nand. NAND and NOR Gates are known as Universal Logic Gates, because we can realize any logic circuit or gate only by using NAND or NOR gates single …

2025年1月20日 · 栅极堆叠的3d nand架构可以使用两种方法制造：第一栅极和最后栅极，第一栅极和第二栅极方法制造的最具代表性的结构分别是bics和tcat。 图14a显示了栅极优先工艺，其 …

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