2024年10月10日 · stm32 nand 模拟usb例程是一种技术实现，它允许stm32微控制器通过usb接口模拟一个大容量存储设备（如u盘），使得主机系统能够识别并读写存储在nand闪存上的数据。这一功能在嵌入式系统中非常有用，因为它允许开发...

2022年12月23日 · NAND FLASH是一个静态存储设备，所以用 STM32 上的FSMC功能，具体功能可以看STM32公司发的（也可以是经过行业的大佬翻译过的中文版本）1-STM32F4xx中文参考手册，在手册中. 可以同时使用两块NAND FLASH，由下图可见，NAND信号有FSMC_NCE [3:2],FSMC_INT [3:2]着两个寄存器。 这两个寄存器用来确定你的NAND FLASH连接着F429的那块区域（Bank2 or Bank3）。 接着看原理图，由原理图可知片选引脚CE连接F429的PG9引脚， …

2024年3月13日 · nand flash 存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，在业界得到了广泛应用，如： sd 卡、 tf 卡、 u盘等，一般都是采用 nand flash 作为存储的。

今日， 三星电子 宣布量产236层3D NAND闪存芯片——具有最高存储密度的1Tb（128GB）三比特单元（TLC）的第8代V-NAND。 其他存储厂商如 海力士 、 美光 、 长江存储 也在量产类似层数的3D NAND闪存芯片。 码字不易，不接受未经授权的转载、搬运。 如果文章内容对你有帮助，欢迎点赞支持，以及收藏哦~ 【可点击关注我】，目前专注于存储、数码电子、家电产品的知识科普和选购建议，希望我的文字可以帮助你学习到相关产品的应用知识和选购技巧。 关注我，长期 …

2018年7月26日 · 3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层或更高层次，3D TLC/MLC颗粒的不同产品，各大厂商的技术不尽相同。 根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC (三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。 一、SLC、MLC、TLC、QLC之区别是什么？ 从使用寿命和价格上比较。 1、单层次存储单元SLC = Single-Level Cell，即1bit/cell，速度快寿命最长，价格 …

2025年2月19日 · SD NAND 卡是一种基于 NAND 闪存技术的存储设备，其外观和接口类似于标准的 SD 卡。 它将 NAND 闪存芯片和必要的控制电路集成在一个小型的封装内，以 SD 卡的形式提供数据存储功能。 嵌入式坏块管理功能：这意味着它可以自己检测和标记坏块，在数据存储和读取过程中自动避开这些坏块。 例如，当写入数据时，产品会先检查目标块是否为坏块，如果是，就会选择其他正常的块来存储数据，从而提高了数据存储的可靠性和效率。 更强的嵌入式纠错 …

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NAND Flash（闪存）是一种非易失性存储器技术，主要用于数据存储。 与传统的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在断电后仍能保存数据。 它通过电荷的存储与释放来实现数据的存储。

2024年12月17日 · 3d nand, 即立体堆叠技术，如果把2d nand看成平房，那么3d nand就是高楼大厦，建筑面积成倍扩增，理论上可以无限堆叠，可以摆脱对先进制程工艺的束缚，同时也不依赖于极紫外光刻（euv）技术。

2025年3月8日 · NOR FLASH 和 NAND FLASH 都是使用浮栅场效应管 (Floating Gate FET) 作为基本存储单元来存储数据的，浮栅场效应管共有4个端电极，分别为：源极（Source）、漏极（Drain）、控制栅极（Control Gate）和浮置栅极（Floating Gate）。 前3个端电极的作用于与普通 MOSFET 是一样的，区别仅在于浮置栅极，FLASH 就是利用浮栅是否存储电荷来表征数字“0”和“1”的，当向浮栅注入电荷后，D和S之间存在导电沟道，从D极读到“0”；当浮栅中没有电荷 …