2020年11月5日 · Subscribe: / arydigitalasia Download ARY ZAP APP: https://l.ead.me/bb9zI1 Nand is the story of a family that is controlled by someone else.

2018年7月24日 · Nand Flash在嵌入式中的地位和PC的硬盘类似，用于保存系统运行所需的操作系统、应用程序、用户数据、运行中所产生的各种数据，以内存不同，掉电后Nand Flash中的数据永久保存。

nand器件使用复杂的 i/o口 来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。nand读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

NAND FLASH 是把存储单元串行连在位线上，而 NOR FLASH 则是把存储单元并行的连到位线上。 所以 NOR 型的闪存存储器实现按位随机访问，而NAND 只能同时对多个存储单元同时访问。 对于 NOR FLASH，如果任意一个存储单元被相应的字线选中打开，那么对应的位线将变为 0，正是由于这种和 NOR 门电路相似的逻辑关系，使得这种结构的闪存被称为 NOR 型闪存，而 NAND FLASH需要使一个位线上的所有存储单元都为 1，才能使得位线为 0，和 NAND 门电路相似 …

2024年7月28日 · Nandflash 1.1 定义 Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

sifli flash 控制器支持最多同时挂载多个flash颗粒（55x系列支持4个， 58x系列支持5个， 56x系列支持4个），可以是nor-flash, 也可以是nand-flash。 相比55x， 58x和56x的控制器增加了对8线和16线psram的支持，控制器名字由qspi改为mpi，意为专门为memory提供的控制器。

2025年3月8日 · NOR FLASH 和 NAND FLASH 都是使用浮栅场效应管 (Floating Gate FET) 作为基本存储单元来存储数据的，浮栅场效应管共有4个端电极，分别为：源极（Source）、漏极（Drain）、控制栅极（Control Gate）和浮置栅极（Floating Gate）。 前3个端电极的作用于与普通 MOSFET 是一样的，区别仅在于浮置栅极，FLASH 就是利用浮栅是否存储电荷来表征数字“0”和“1”的，当向浮栅注入电荷后，D和S之间存在导电沟道，从D极读到“0”；当浮栅中没有电荷 …

当卡接收到这个命令时，会使卡将下面的命令解释为一个特定于应用程序的命令ACMD。 ACMD提供命令扩展，具有与常规命令相同的结构，并且可能具有相同的CMD号。 卡通过它出现在APP_CMD之后的事实将其识别为ACMD。 当没有定义ACMD时，卡将其视为常规命令。

近期，2025年 IEEE国际固态电路会议 （ISSCC）的日程中透露出，三星正在研发400L第十代V-NAND技术，并将在ISSCC会议上发布。 据有关消息分析，该NAND也将采用 WF-Bonding键合技术，从第九代的286层提升到了超过400层，实现了28 Gb/mm²的存储密度。 当前量产中 NAND 层数最高的是 SK 海力士，达到 321 层；其次是三星的 286 层；美光为 276 层；西部数据和铠侠的 BiCS 工艺有 218 层，且正在研发 300 多层的 BiCS 9 代技术；SK 海力士旗下的 Solidigm 子公 …

2025年1月13日 · SPI Flash 是通过 串行外设接口（Serial Peripheral Interface, SPI） 与主机通信的闪存，分为 SPI NOR Flash 和 SPI NAND Flash。 接口类型：通过 SPI 接口 （4 根线）连接到主机。 读写方式： 单比特读写，即每次只能读取或写入一个字节（或者少量数据）。 简单和成本低：SPI NOR Flash 较为简单，成本较低，通常用于 代码存储 （例如 bootloader 、 uBoot 等）。 高效的读取：由于可以直接执行 代码存储，并且具有快速的读取速度。 写入速度较慢：SPI …