2023年3月27日 · PM863 是三星 845DC EVO 系列的后继产品，并转向更耐用和高性能的 3D V-NAND。 随机写入性能有 40-50% 的良好提升，耐久性现在约为每天 1.3 次驱动器写入，而 845DC EVO 仅提供 0.35 DWPD。 Samsung PM863 SSD Review. SM863 是用来取代高端 PRO 版本的。 845DC PRO 已经切换到 3D V-NAND，但 SM863 将 NAND 从第一代 24 层升级到最新的 32 层设计，以提高成本效率。 SM863 实际上提供比 845DC PRO 更低的随机写入性能，这是由于 …

Fifth generation 3D NAND memory chip reveals Samsung’s latest memory technology and fabrication methods. The new technology era has a huge impact on Non-Volatile Memory (NVM), demanding memories with faster speed and higher storage capacity.

近期，2025年ieee国际固态电路会议（isscc）的日程中透露出，三星正在研发400l第十代v-nand技术，并将在isscc会议上发布。据有关消息分析，该nand也将采用wf-bonding键合技术，从第九代的286层提升到了超过400层，…

2019年9月24日 · 本报告详细分析了三星最新款92层3D垂直堆叠型结构（Vertical）NAND存储器技术。 得益于高质量的光学图像和高分辨率的扫描电子显微镜（SEM）图像，我们通过物理分析显示存储器芯片的横截面信息，其中包括材料识别。

2020年2月27日 · This report presents a detailed technical study of the latest Samsung 3D Vertical-NAND memory made with 92-Layer word lines. Thanks to high-quality optical images and high-resolution scanning...

我们虚构一颗2D NAND芯片来理解逻辑地址和物理地址的部分概念，以及NAND容量的计算方法。通过前面的文章，应该对cell有一个基本的了解。在2D NAND芯片上，cell就位于bit line(BL)和word line(WL)的交叉点下面。同一根WL上的所有数据即page，WL即page.

第九代V-NAND采用了新一代Toggle 5.1闪存接口，让数据传速速度提升33%，高达3.2Gbps。 新的接口可为最新的PCIe 5.0 SSD提供足够的性能带宽保障。 与上一代产品相比，第九代V-NAND在低功耗设计方面也有改进，其功耗降低了10%，可使SSD变得更为节能。 目前三星已启动1Tb TLC第九代V-NAND的大规模生产，随后将于今年下半年推出QLC的型号。...

2024年1月9日 · 具体来说，三星的3d nand技术采用了64层、96层甚至更多的闪存单元，这就使得每个芯片的存储容量更大。 由于每个芯片的存储容量更大，因此系统需要使用更少的闪存芯片来存储同样数量的数据，这会减少每个芯片上的写入次数，从而延长其使用寿命。

This report presents a detailed technology study of the latest Samsung 3D Vertical-NAND memory made with 92-Layer word lines. Thanks to highquality optical images and -resolution scanning electron microscope (SEM) images, the

2019年3月8日 · 今年1月底，三星电子又发大招，推出采用第五代V-NAND技术的SSD产品——三星970 EVO Plus SSD。事实上，随着新一代3D NAND技术的不断成熟，速度更快的NVMe协议的SSD固态硬盘已经成为市场主流。 以前，我们见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，3D闪存则是立体堆叠的。