2024年5月2日 · NLDD/PLDD的形成： （1）NLDD光刻，注入，去胶； （2）PLDD光刻，注入，去胶； （3）Si3N4 spacer的刻蚀：氮化硅淀积及刻蚀. 8. NSD/PSD形成： （1）NMOS的源漏注入： Si3N4 spacer挡住的区域NSD注入注不进去，因此NSD区域要离开gate一小段距离； （2）PMOS源漏注入：做完PSD，一起做一次RTP来退回，激活离子。 到此，器件工艺完成了，平面图如下： 9. Salicide：Ti与硅形成低阻层Salicide； 只有与硅接触的T与硅反应了，其它 …

轻掺杂漏 （Lightly Doped Drain） 离子注入工艺 是指在栅极的边界下方与源漏之间形成低掺杂的扩展区，该扩展区在源漏与沟道之间形成杂质浓度梯度，从而减小漏极附近的峰值电场，达到改善HCI效应和器件可靠性的目的。 如图3-74所示。 轻掺杂漏离子注入工艺流程如下： 1）清洗。 将晶圆放入清洗槽中清洗，得到清洁的表面。 2）衬底和多晶硅氧化。 利用炉管热氧化生长一层薄的氧化层，利用O2在850℃左右的温度下使多晶硅和衬底硅氧化，形成厚度约150埃的氧化硅，修 …

2025年1月8日 · 随着栅的宽度不断减小，栅结构下的沟道长度也不断的减小， 为了有效的防止短沟道效应，在集成电路制造工艺中引入了 轻掺杂漏工艺（LDD），当然这一步的作用不止于 …

2011年8月4日 · 随着栅的宽度不断减小，栅结构下的沟道长度也不断的减小， 为了有效的防止短沟道效应，在集成电路制造工艺中引入了 轻掺杂漏工艺（LDD），当然这一步的作用不止于此，大质量材料和表面非晶态的结合形成的浅结有助于减少源漏间的沟道漏电流效应。 同时LDD也是集成电路制造基本步骤的第四步。

多晶栅层叠图形化以后形成再氧化，补偿和主隔离结构，接着完成NMOS和PMOS的LDD和源/漏注入掺杂。 在这之后，沉积一层介质层，通过图形化，刻蚀和钨塞（W-plug）填充形成接触孔。 至此， NMOS和PMOS晶体管已经形成了，这些工艺步骤通常被称为 前端制程（FEOL）。 然后通过单镶嵌技术形成第一层铜（M1），其他的互连通过双镶嵌技术实现。 后端制程（BEOL） 通过重复双镶嵌技术实现多层互连。 图3.3中，步骤（a）～步骤（h）用于实现CMOS晶体管，称为 …

2007年4月20日 · nLDD light doped drain,a tip of diffusion for s,d implant to gate area transition,it is used in any sub micro process in order to reduce the electric field magnitude at drain when saturation hence hot carrier generation. Refer to any process book will help u

然后铺上mask，把poly gate和active的部分都暴露出来，进行 LDD（Lightly Doped Drain）。 通常NMOS用P和As，PMOS用B和BF2。 这里的掺杂步骤很多，因为不同的Vth的晶体管doping的浓度也不同，而且还有P和N之分。 LDD之后，要在上面包上一层隔离层，这一步叫 Spacer Furnace Deposition。 这一步主要是为了处理热载流子注入 (HCI)的问题，来保证transistor drive current。 方法主要是Oxide/Nitride或者Oxide/Nitride/Oxide三重。 这一步会在poly上包裹一个像蘑菇头 …

2013年8月23日 · 最近在看smic180nm的工艺，看到有这么几层不知道是干什么的，NLL（1.8v NLDD Implantation）、PLL（1.8v PLDD Implantation）、NLH（5v NLDD Implantation）、PLH（5v PLDD Implantation）.从网上查到了一些内容，说LDD是浅掺杂源漏的意思，在短沟道器件下减小源漏的电场强度用的。

2024年9月22日 · 轻掺杂漏极（LDD）是一种低能量、低电流的注入工艺，通过该工艺在栅极附近形成浅结，以减少靠近漏极处的垂直电场。 对于亚微米MOSFET来说，LDD是必需的，以便抑制热电子效应，这种效应会导致器件退化并影响芯片的可靠性。 热电子效应（或热载流子效应）发生在由于源/漏偏压和短沟道效应引起的电场垂直分量加速导致电子隧穿穿过超薄栅氧化层从漏极到栅极时。 随着特征尺寸的减小，这种注入的掺杂浓度已经增加，对于0.25微米以下的器件，剂量 …

多晶硅栅结构工艺 晶体管中的多晶硅栅 (polysilicon gate)结构的制作是整个 CMOS 流程中最关键的一步， 它的 实现要经过栅氧层的形成和多晶硅栅刻蚀这两个基本过程， 多晶硅栅的最小尺寸决定着一个 工艺的特征尺寸，同进也为下面的源漏注入充当掩膜的作用，这也是做为 IC 版图工程师需 要掌握的基础知识。 f Plug-1 形成的主要步骤 1. 金属淀积 Ti 阻挡层（PVD） 在薄膜区利用 PVD 设备在整个硅片表面淀积一薄层 Ti。 Ti 衬垫于能孔的底部及侧壁上。 Ti 充当了将钨限制 …