EMMI和OBIRCH傻傻分不清？ - 知乎专栏
obirch正是基于半导体的这种效应的新型高分辨率微观缺陷定位技术，该技术依托于背面光发射显微镜，可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点，并通过后续的去层处理、电 …
OBIRCH的工作原理 - 知乎 - 知乎专栏
obirch常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析及线路漏电路径分析。 利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、 通孔 (via)下的空洞，通孔底部高电阻区等，也能有 …
芯片漏电点定位及分析（EMMI/OBIRCH，显微光热分布，FIB-SEM）
光诱导电阻变化（Optical Beam Induced Resistance Change，OBIRCH），作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术，能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位，基本上，只要有 …
Thermal laser stimulation - Wikipedia
Optical beam induced resistance change (OBIRCH) is an imaging technique which uses a laser beam to induce a thermal change in the device. Laser stimulation highlights differences in …
激光束电阻异常侦测 (OBIRCH)-激光束电阻异常侦测 (OBIRCH)-苏 …
激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以镭射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描，在芯片功能测试期间，OBIRCH 利用镭射扫描芯片内部连接 …
芯片失效分析中OBIRCH-EMMI的应用 - 知乎 - 知乎专栏
obirch正是基于半导体的这种效应的新型高分辨率微观缺陷定位技术，该技术依托于背面光发射显微镜，可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点，并通过后续的去层处理、电 …
雷射光束電阻異常偵測 (OBIRCH) - iST宜特
雷射光束電阻異常偵測(Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡稱OBIRCH)，以雷射光在IC表面(正面或背面) 進行掃描，在IC功能測試期間，OBIRCH 利用雷射掃瞄IC 內部連接位 …
Optical beam induced resistance change (OBIRCH): overview …
2004年1月8日 · Abstract: The OBIRCH is an indispensable failure analysis tool in the semiconductor industry. It is useful not only for test structures but also for final products. It is …
EMMI和OBIRCH傻傻分不清？ - 百家号
2023年2月3日 · obirch正是基于半导体的这种效应的新型高分辨率微观缺陷定位技术，该技术依托于背面光发射显微镜，可以在大范围内准确并迅速定位集成电路中的微小失效点，并通过后续 …
激光束电阻异常侦测 (OBIRCH) - iST宜特
激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以雷射光在IC表面 进行扫描，在IC功能测试期间，OBIRCH 利用雷射扫瞄IC 内部连接位置，并产生温度 …
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