Oct 2, 2024 · 光学邻近效应校正（Optical Proximity Correction，OPC）属于计算光刻技术的一种，主要是利用软件和高性能计算，来模拟仿真光刻过程中的光学和化学过程，通过仿真建立精确的计算模型，然后调整图形的边沿不断仿真迭代，直到.

对于OPC model，最重要和最基本的信息是 ADI （after development inspection）图像的wafer cd。 在process已经确定的情况下，工程师会设计一些 test pattern 并出测试光罩，通常会同步生成一组测量坐标( gauge /cutline)。

为了补偿光学图像失真，业界引入了光学邻近校正（OPC）技术，为了补偿光学畸变效应而主动改变光罩图形数据，使得摩尔定律继续向前推进。 如图1左下图所示，没有经过OPC的光罩版图，在经过光刻机曝光后的硅片图形（灰色阴影部分）严重偏离了原来的设计（红色虚线表示）。 而经过OPC校正过的光罩版图，图形边缘变成了不规则的形状（图1右上），目的恰恰是为了使得硅片上的图形最接近原始的设计图形。 实现OPC的方法主要有基于规则的OPC（Rule-Based …

Aug 2, 2019 · 光学邻近效应（OpticalProximity Effect, OPE）是指由于部分相干成像过程中的非线性空间滤波，像强度频谱的能量分布和位相分布相对理想像频谱有一定畸变，并最终大大降低了成像质量。 图案边角畸变的原因：理想的像强度频谱分布取决于掩模上的线条的特征尺寸、形状和分布规律，其中边角或细锐的线条为频谱提供较多的高频成份，但由于衍射受限，这些高频成分不能够经过系统到达实际空间像面对应的边角处，这必将导致空间像在边角处的光强分布失配，造 …

Dec 17, 2014 · 现已开发出兼具cd测量与sem轮廓的混合技术，它能提供更精确的opc模型，减少opc校准的运行时间。 SEM轮廓用于2D，而CD点则提供了高精度的1D测量。 为保持这种1D的精度，可采用混合的校准技术，在OPC校准中同时包含CD与SEM轮廓。

对于不相容边沿图形，后opc的meef指标甚至要比前opc更差，这就打破了“opc提高可制造性”的基本原则。虽然opc技术的发展能够改善meef，但是opc的不相容边沿图形始终在65nm以及以下的技术节点上存在。

Mar 6, 2024 · 本篇论文中，东方晶源提出了优化传统基于CD数据（关键尺寸）进行OPC（光学邻近校正）建模的方式，采用一种创新的流程，将扫描电镜图像轮廓数据加入OPC建模来提高最终OPC模型对芯片图形的全面覆盖能力。 流程中引入了芯片图形采样技术，不仅可以确保对芯片图形的全面覆盖，还可以最大限度地减少OPC建模数据收集的工作量。 在这项研究中，还实现了东方晶源软件产品和硬件产品的协同优化，可进行全过程自动化的高精度轮廓提取和OPC建模。 同 …

opc方法，即从已往布局布线的完整芯片版图中提 取剩余opc错误的方法，使实际的cd值用于时序 分析，这套自动化opc设计流程是：标注关键的 栅极，对经过opc修正的版图进行反标以及对整个 电路网表的选择性提取[4]。 asml、asml掩模工具和cadence等对以ret/

Apr 4, 2007 · Optical CD Metrology(OCD) and Atomic Force Microscopy(AFM) has been considered to the method for measuring CD without attack of organic materials. Also the OCD and AFM measurement system have the merits of speed, easiness and accurate data. For model-based OPC, the model is generated using CD data of test patterns transferred onto the wafer.

•Why is OPC needed in optical lithography? •What are the two main types of OPC, and what are their advantages and disadvantages?