2020年5月15日 · DLCs by HiPIMS and PIID show a higher gross spallation resistance. H/E ratio is higher for the DLC by PECVD. The most wear-resistant DLC is the one by PECVD. In this work, three plasma-enhanced techniques have been used to deposit Diamond-like Carbon coatings (DLCs), as follows: HiPIMS, PECVD, and PIID.

用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石 (DLC)薄膜，通过控制甲烷 (CH4)与氩气 (Ar)流量的比值 (V C H 4 / V A r)分别在上极板和下极板上沉积制备出一系列DLC薄膜，用Raman光谱等检测技术表征了DLC薄膜的结构、表面粗糙度、表面形貌和硬度。 结果表明：随着 V C H 4 / V A r 比例的改变在下极板可制备出含有不同sp3和sp2杂化态比例 (S s p 3 / S s p 2)的DLC薄膜。

2023年10月1日 · Presents a study of Diamond-like Carbon films with different sp 3 content (35–70 %). The investigated DLC films were deposited by the RF ICP PECVD technique. Structural, optical, electrical and mechanical properties were investigated. Points out versatility of DLC films for GaAs/InGaAs-based optoelectronic devices.

PECVD enables the deposition of DLC layers with less than 1.5 % uniformity variation; DLC properties are precisely adjustable by changing process conditions

本文介绍采用PECVD 技术在平面工件表面、活塞环表面和管道内表面快速沉积压应力(贫 Si 层)和张应力(富 Si 层)交替的超厚DLC 膜层。 研究结果表明,在 M2 高速钢和活塞环功能面上均能沉积30 μm以上的DLC 膜,膜层的摩擦学性能优异;在管道内壁沉积的DLC 膜厚度在好。 总之,可以利用PECVD 在不同形状的工件上快速沉积具有良好耐磨性和耐腐蚀性能的、超厚 关键词:等离子体增强化学气相沉积;超厚类金刚石碳膜;快速沉积;耐磨损. 10 μm 以上,耐蚀性能和摩擦学性能良DLC …

2020年9月25日 · The functional role of forming an adhesive sublayer based on (CrAlSi)N immediately before the application of the external DLC film by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technology in the composition of a multicomponent gas mixture containing tetramethylsilane was established in the article.

采用射频等离子体化学气相沉积(rf-pecvd)可以克服表面电荷累积效应，提高沉积速率，是目前应用最广泛的实验室dlc薄膜制备方法。rf-pecvd分为电感式和电容式两种，其中电容式应用较多。

采用pecvd技术可以在室温下在si和玻璃上衬底上制备出具有一定减反射效果和透射作用的dlc薄膜,这对新型光电子器件特别是太阳能光伏器件的应用具有重要意义.

2024年5月30日 · PECVD was employed to deposit multilayer DLC coatings with a-Si:C:H bonding layer and H-DLC transition layer. Bias voltages were adjusted to investigate the influences on the structure and properties of the DLC coatings. DLC coating prepared at a bias voltage of -550V demonstrated the best tribological performance with a lowest wear rate.

等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 是一种广泛应用于半导体行业的薄膜沉积技术。 它将化学气相沉积 (CVD) 原理与等离子体技术相结合，可生成高质量薄膜并精确控制其特性。 与传统的 CVD 不同，PECVD 利用等离子体来增强沉积过程，从而能够在较低的温度下沉积更多的材料。 本文将全面介绍 PECVD，探讨其原理、应用、优势和局限性。 我们将讨论 PECVD 所涉及的工艺流程、等离子源和关键参数，以及它在半导体制造中的作用和在其他行业中的新兴应用。 …