PECVD概念（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）：等离子体增强化学气相沉积是一种在真空环境下利用射频电场使反应气体等离子化并在衬底上进行化学反应沉积的薄膜制备技术。

PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）是一种利用等离子体辅助的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、微电子、光学和光伏等领域。

薄膜制备工艺在超大规模集成电路技术中占据着举足轻重的地位，其成膜方法主要可分为两大类：物理气相沉积（pvd）与化学气相沉积（cvd）。而等离子增强型化学气相淀积（pecvd），作为cvd的一种，凭借其较低的淀积温度脱颖而出。

等离子增强型化学气相淀积 （pecvd）是化学气相淀积的一种，其淀积温度低是它最突出的优点。pecvd淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、mems等领域具有广泛的应用。

PECVD（等离子体增强化学气相沉积法） 则是利用等离子体在较低温度下激活气相反应。 这种技术的沉积速率更快，工艺灵活性更高，因此适用于包括氮化硅和氧化硅在内的多种材料。 不过，等离子体会带来缺陷，影响薄膜密度和质量。 ICPCVD（电感耦合等离子体化学气相沉积） 是 PECVD 的一种高级形式，其特点是等离子体密度更高，能量分布更均匀。 因此，即使在较低的压力和温度下，也能获得出色的薄膜质量和均匀性。 ICPCVD 尤其适用于在形状复杂的表面沉 …

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a chemical vapor deposition process used to deposit thin films from a gas state to a solid state on a substrate. Chemical reactions are involved in the process, which occur after creation of a plasma of the reacting gases.

2022年1月29日 · Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) is an advanced thin film deposition technique that uses plasma to enhance chemical reactions, enabling uniform coatings at lower temperatures. Ideal for semiconductors, optics, and protective coatings, PECVD improves adhesion and film quality.

等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 是一种广泛应用于半导体行业的薄膜沉积技术。 它将化学气相沉积 (CVD) 原理与等离子体技术相结合，可生成高质量薄膜并精确控制其特性。 与传统的 CVD 不同，PECVD 利用等离子体来增强沉积过程，从而能够在较低的温度下沉积更多的材料。 本文将全面介绍 PECVD，探讨其原理、应用、优势和局限性。 我们将讨论 PECVD 所涉及的工艺流程、等离子源和关键参数，以及它在半导体制造中的作用和在其他行业中的新兴应用。 …

2024年11月20日 · 新铂科技（东莞）有限公司PECVD，是国内专业从事真空镀膜系统的研发、制造、销售为一体的国家级高新技术企业，其研发中心位于东莞市松山湖大学创新城，其研发人员均为硕士以上学历（其中博士6人），在相关领域发表学术论文300余篇。

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a widely used technique for the production of coatings. The main advantage of PECVD is that the temperature can be reduced from a range of 400–2000 °C down even to room temperature so that temperature sensitive substrates such as polymers can be coated.