等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉积（CVD）的基本原理与等离子体技术，可以生产高品质的薄膜并精确地控制其属性。 区别于传统的CVD技术，PECVD通过使用等离子体来提高沉积效率，使其能在更低的温度条件下进行材料沉积。 在PECVD技术中，使用低气压下的低温等离子体在沉积室的阴极触发辉光放电。 此过程或 …

等离子增强型化学气相淀积 （pecvd）是化学气相淀积的一种，其淀积温度低是它最突出的优点。pecvd淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、mems等领域具有广泛的应用。

PECVD概念（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）：等离子体增强化学气相沉积是一种在真空环境下利用射频电场使反应气体等离子化并在衬底上进行化学反应沉积的薄膜制备技术。

射频增强等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）是一种在基底上沉积多晶薄膜的复杂技术。 这种方法利用辉光放电等离子体的能量来影响低压化学气相沉积过程，从而提高薄膜形成的质量和效率。 RF-PECVD 的起源可以追溯到 1994 年，当时日本柯尼卡公司首次提出了这种方法，并以其主要使用射频（RF）产生等离子体而命名。 射频-PECVD 工艺的特点是使用两种主要的射频电场耦合方法：电感耦合和电容耦合。 这些方法对等离子体生成的效率和效果起着至关重要的作用，而 …

MWECR-PECVD技术巧妙地结合了微波与磁场，利用电子的回旋共振效应在真空环境中产生高活性、高密度的等离子体，从而引发气相化学反应。 这一技术能够在低温条件下制备出高质量的薄膜。 其等离子体由电磁波激发，频率常设为2450MHz，通过调整电磁波光子能量，可以精准控制气体分解成粒子的能量和寿命，进而显著影响薄膜的生成与表面处理机制，从而确保薄膜的结构、特性及稳定性达到理想状态。 在低气压环境中，PECVD技术通过低温等离子体在工艺腔体的阴 …

等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 是一种广泛应用于半导体行业的薄膜沉积技术。 它将化学气相沉积 (CVD) 原理与等离子体技术相结合，可生成高质量薄膜并精确控制其特性。 与传统的 CVD 不同，PECVD 利用等离子体来增强沉积过程，从而能够在较低的温度下沉积更多的材料。 本文将全面介绍 PECVD，探讨其原理、应用、优势和局限性。 我们将讨论 PECVD 所涉及的工艺流程、等离子源和关键参数，以及它在半导体制造中的作用和在其他行业中的新兴应用。 …

ICPCVD（电感耦合等离子体化学气相沉积） 是 PECVD 的一种高级形式，其特点是等离子体密度更高，能量分布更均匀。 因此，即使在较低的压力和温度下，也能获得出色的薄膜质量和均匀性。 ICPCVD 尤其适用于在形状复杂的表面沉积薄膜，以及需要高质量、低温薄膜的应用。 上述每种技术都具有独特的优势和挑战，因此适用于半导体和微电子行业的不同应用。 了解这些区别对于选择最适合特定制造需求的 CVD 方法至关重要。 低压化学气相沉积（LPCVD）是一种在亚大气 …

2024年8月16日 · PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体增强化学气相沉积技朝制备具有特定性能的薄膜的过程。 与传统的CVD（Chemical Vapor Deposition）相比，PECVD在沉积薄膜时采用了等离子体激活气体，从而提供了更多的优势和应用 …

PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）是一种利用等离子体辅助的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、微电子、光学和光伏等领域。

ICPPECVD是一种借助感应耦合等离子技术的化学气相沉积设备，相比传统 PECVD 具有优良的等离子体特性，如高等离子体密度，沉积介质膜时低压强，离子能量能够独立控制等，所沉积的介质薄膜具有薄膜损伤少、击穿电压高、应力低、台阶覆盖性好、对衬底无损伤等优良特性。 可以广泛应用于半导体、氧化物和有机衬底上快速和低温沉积氮化硅、氧化硅、非晶硅等功能材料。 设备技 …