Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition offers the po-tential to fundamentally change the way dielectric materials are deposited for large area applications. PECVD can have high deposition rates compared to reactive sputtering and lower cost of materials.

2025年3月1日 · The collected particles on QCM are analyzed using an SEM (Hitachi S4800, Japan), operated at an accelerating voltage of 3 kV. The captured SEM images were then analyzed using ImageJ software to quantify the particle size and number.

PECVD概念（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）：等离子体增强化学气相沉积是一种在真空环境下利用射频电场使反应气体等离子化并在衬底上进行化学反应沉积的薄膜制备技术。

PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。 其工艺原理示意图如图1所示。 图1 PECVD工艺原理. 在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。 这些分解物发生 …

摘要 应用等离子体增强化学气相淀积(pecvd)法制备sio2薄膜,并用折射率来表征致密性.研究了sio2薄膜 致密性与射频(RF)功率、基板温度、腔内压强、N 2 O/SiH 4 流量比的关系.通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了

2014年1月1日 · Tetraethyl orthosilicate-based oxide films were deposited for packaging application. The oxide films deposited plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at 400 °C. The PECVD oxide films exhibit good step coverage. The 400 °C PECVD oxide films exhibit low thermal stress and current leakage.

等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 是一种广泛应用于半导体行业的薄膜沉积技术。 它将化学气相沉积 (CVD) 原理与等离子体技术相结合，可生成高质量薄膜并精确控制其特性。 与传统的 CVD 不同，PECVD 利用等离子体来增强沉积过程，从而能够在较低的温度下沉积更多的材料。 本文将全面介绍 PECVD，探讨其原理、应用、优势和局限性。 我们将讨论 PECVD 所涉及的工艺流程、等离子源和关键参数，以及它在半导体制造中的作用和在其他行业中的新兴应用。 …

MWECR-PECVD技术巧妙地结合了微波与磁场，利用电子的回旋共振效应在真空环境中产生高活性、高密度的等离子体，从而引发气相化学反应。 这一技术能够在低温条件下制备出高质量的薄膜。 其等离子体由电磁波激发，频率常设为2450MHz，通过调整电磁波光子能量，可以精准控制气体分解成粒子的能量和寿命，进而显著影响薄膜的生成与表面处理机制，从而确保薄膜的结构、特性及稳定性达到理想状态。 在低气压环境中，PECVD技术通过低温等离子体在工艺腔体的阴 …

2025年2月1日 · In the present study, the conceptual design of oxygen-doped vertical graphene (OVG)-skinned carbon cloth (CC) is first proposed and achieved through a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method.

通过设计沉积工艺,在不同的气体流量比例、工作气压和生长时间等生长条件下制备出SiO2薄膜;通过扫描电子显微镜 (SEM)测试表征薄膜的形貌和结构,评价薄膜的性能。 根据表征结果分析了各种工艺参数对薄膜性能的影响,获得了较为优化的工艺参数,在玻璃容器内壁制备出较高质量的SiO2薄 …