2021年8月15日 · 在QPNP与QNPN的基区分别与VDD，VSS存在一个非零的电阻，Rwell与Rsub，这样我们可以发现纵向QPNP的增益在几百倍，而横向QNPN的增益在几十倍。 当无外界干扰时，寄生的 三极管 都处于截至状态，不会有latch up产生。 但是当电路经历一下变化时，寄生QNPN的基极有电流注入，就会引起连锁反应，两个三极管会导通形成一同由VDD到VSS的低阻通路，在VDD抽取很大的电流。 当I/O信号发生变化时，变化的范围超过VDD，VSS的范围，此 …

2023年10月13日 · 在CMOS模拟版图中，常常用Guard Ring将若干个MOS管（一般来说，一个Gurad Ring内部的MOS管都是同型的，即都是PMOS/NMOS）包围起来，起到保护作用。 在芯片layout设计时，在面积允许的情况下要多放置一些Guard Ring，以提高芯片的性能。

本篇介绍的是如何放置保护环(guard ring) 来正确防护latch-up 。 上图是典型的版图结构,左边是N-well PMOS 加 N+ well contact, 右边是P-sbu NMOS 加 P+ sub contact,中间就是guard ring ,当然well contact 、psub contact 也是保护的一部分,只不过没有画成环状而已,不能忽略。 保护环的基本概念主要分成两种:1,多数载流子保护环; 2,少数载流子保护环。 多数与少数是相对的,比如:电子在P-sub中为少数载流子到了 Nwell中就是多数载流子了。 那么保护环到底发挥着什么作用呢?画出 …

2014年6月18日 · 有两种ring: ptap, psub pick up，接到地，提供低阻通路，把noise电流泄放掉。 nwell ring，利用反向pn在psub上产生的depletion layer提高噪声耦合路径的电阻，使得噪声衰减。 还有几个问题是用多子少子解释比较牵强的 1. nwell ring真的吸收了电子吗？

2015年6月15日 · N-guardring和P-guardring这两种环对应吸收什么粒子，本人比较混淆，求大神解惑。 2、N-guardring多子为电子，吸收空穴复合，P-guardring多子为空穴，吸收电子复合。 • 最近迷上了电子元件，有没有什么适合新手DIY的？ • 数字IC或者模拟IC设计的难点在哪？ （管理注：此贴由FPGA板块移动到此版） http://bbs.eetop.cn/thread-449314-1-1.html 看下老帖子，其实挺有启发的。 N-guardring和P-guardring这两种环对应吸收什么粒子，本人比较混淆，求大神解 …

2024年7月5日 · 如果GGNMOS是直接做在psub上的，我认为是需要加guard ring的，最好的guard ring就是NBL/DNW结构，该结构相比于Ntap之类的保护环更深，可以做到有效的隔离。 之前有人跟我提到过，在实际应用中容易甩负的IO pin需要加guard ring，但是我认为所有的IO pin都会做LU测试，都会 ...

许多低压制程用SCR(silicon-controlled rectifier)做ESD 保护电路,一个SCR保护电路的连接见右图,在CMOS制 程中,Q1为一垂直式的PNP,由nwell内的PSD和nwell以 及P-epi构成,横向NPN Q2有nwell,P-epi和相邻的NSD构 成，R1为nwell电阻，R2是substrate到P-epi的电阻。

1.多子GuardRing ： P+ Ring环绕NMOS并接GND； N+ Ring环接PMOS并接VDD。 使用多子保护环可以降 低Rwell和Rsub的阻值，且可以阻止多数载流子到基极。 2.少子GuardRing ： 制作在N阱中的N+ Ring环绕NMOS并接VDD; P+ Ring环绕PMOS并接GND。

Guard Ring主要包括两种：（1）P型Guard Ring，与衬底相连，由 p^ {+} 扩散和P阱植入形成，并接到地；（2）N型Guard Ring，由 n^ {+} 扩散和N阱植入形成，接电源。 除了Latch-up，I/O接口电路还需要考虑 静电泄放效应 （Electro-Static Discharge，ESD）。 通俗来说，ESD是指极高的电荷量在极短的时间内泄放，从而造成电路节点损坏的现象。 相应的，I/O接口电路会配置 ESD保护电路，用以泄放电荷。 ESD保护电路的设计目标，是在引入一个电流通道，使ESD电流主 …

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