分波态密度（Projected Density of State, PDOS），是将态密度投影到每个原子轨道之后得到的态密度的分量。 从分波态密度中，我们可以分析每个原子分别对态密度的贡献，甚至每个原子的每个原子轨道（也就是s、p、d、f轨道）对态密度的贡献。

你说pdos是s，p，d态的态密度，那请问，他是这个原子各个s态的态密度之和吗，也就是说，S态密度是1s，2s等的和的体现吗？

态密度有分波态密度 (PDOS)和总态密度 (TDoS)两种形式。 f• 4） 对于自旋极化的体系，与能带分析类似，也应该将 majority spin和minority spin分别画出，若费米能级与 majority的DOS相交而处于minority的DOS的能隙之中， 可以说明该体系的自旋极化。

2020年10月28日 · 本新手在计算表面吸附时，用MnS吸附在Al2O3上，最后计算其每个原子的分态密度和体系的总态密度，得到如下的图。 发现总态密度第一个峰对应数值在29左右，而下面同一位置的峰PDOS相加相差很远。 请教下，怎么解释呢？ 本新手在计算表面吸附时，用MnS吸附在Al2O3上，最后计算其每个原子的分态密度和体系的总态密度，得到如下的图。 发现总态密度第一个峰对应数值在29左右，而下面同一位置的峰PDOS相加相差很远。 请教下，怎么解释呢？ …

2023年9月7日 · 态密度有分波态密度 (PDOS)和总态密度 (TDOS)两种形式。 以下将介绍用Materials Studio进行态密度计算的基本步骤，仍以ZnS半导体为例：

态密度有 分波态密度 (PDOS)和 总态密度 (TDOS)两种形式。 以下将介绍用 Materials Studio 进行态密度计算的基本步骤，仍以ZnS半导体为例：

2023年11月5日 · 能带和态密度（DOS） 能带图的横轴是K（K正比于电子的晶体动量），纵轴是能量E，能带图中的那些曲线上的每一个点，都代表一个电子可以取（K、E）态。

2021年12月1日 · 在VASP中， LORBIT=10 计算的就是LDOS，也就是每个原子的 局域态密度 (local DOS)，是分解到每个原子上面的s,p,d； LORBIT=11，计算的就是PDOS,投影态密度 (projected DOS)或分波态密度 (partial DOS)，不仅分解到每个原子的s,p,d,而且还进行px,py,pz分 …

2019年12月4日 · 计算中发现各PDOS积分到费米能级处的数值之和N1不等于总电子数N0，而TDOS积分到费米能级处数值N2等于总电子数N0。 分析VASP计算输出文件，vasprun.xml文件中‘set somment= "spin1"’字段下面的电子积分发现，到费米能级处的电子数等于体系电子总数N0，如 …

在固体物理和分子动力学中，DOS（Density of States，态密度）和PDOS（Projected Density of States，投影态密度）是描述材料电子结构的重要概念。 态密度是指在单位能量范围内，单位体积中可用的量子态的数量。 它反映了材料中电子能量分布的特征。 DOS可以帮助我们理解材料的导电性、绝缘性和其他电子性质。 通常，DOS是通过计算材料的能带结构得到的，常用的方法包括： 第一性原理计算：如密度泛函理论（DFT），通过求解Kohn-Sham方程来获得能带结构，并 …