3.1 等离子体增强原子层沉积（Plasma-Enhanced AtomicLayer Deposition，PEALD） 1991年，荷兰科学家deKeijser和van Opdorp首次使用氢气等离子体与三甲基镓和砷化氢反应外延生长砷化镓，进而提出了等离子体增强原子层沉积技术。

等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 是一种先进的薄膜沉积技术，它结合了原子层沉积 (ALD) 和等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 的原理。 它利用原子层沉积（ALD）的连续自限制反应，实现原子级的薄膜厚度和均匀性精度，同时利用等离子体增强前驱体的反应性，从而降低沉积温度，改善薄膜性能。 这种方法尤其适用于在复杂几何形状和对温度敏感的基底（如半导体器件、医疗设备和储能系统中的基底）上沉积高质量的保形薄膜。 PEALD 将 ALD 的顺序自限反应与等离子 …

2015年9月8日 · 简要介绍了peald的发展历史和生长原理。描述了 peald常见的三种设备构造：自由基增强原子层沉积、直接等离子体沉积和远程等离子体沉 积，比较了它们的优缺点。

2023年10月30日 · PEALD can yield abrupt interfaces between different materials and the substrates. By varying the sequence of material deposited, it is possible to obtain nanolaminates (dyads) of amorphous and dense materials at low temperatures through which the grain boundary formation can be suppressed.

2024年9月2日 · 原子層沉積（ALD）是一種改進的化學氣相沉積技術，它將沉積過程分為兩個步驟。 首先，注入第一前驅物，與基板表面反應。 此階段需確保前驅物只與基板產生反應，形成一層原子厚的薄膜。 當表面飽和後，注入第二前驅物，與已附著的前驅物反應，形成目標材料，完成薄膜的製程。 例如，製作氧化鋅薄膜時，第一前驅物是二乙基鋅。 二乙基鋅在基板上反應後，會形成一層單分子厚的二乙基鋅。 隨後，用氬氣沖洗掉多餘的前驅物，再通入水，水與二乙基鋅 …

原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition，简称ALD）是 一种将物质以单原子层形式逐层在基底表面形成薄膜的真空镀膜工艺。 早在1974年，芬兰材料物理学家Tuomo Suntola开发了这项技术，并获得百万欧元千禧技术奖。 ALD技术最初用于平板电致发光显示器，但并未得到广泛应用。 直到21世纪初，ALD技术开始被半导体行业采用， 通过制造超薄高介质材料取代传统氧化硅，成功解决了场效应晶体管因线宽缩小而引起的漏电流难题，促使摩尔定律进一步向更小线宽发展。 …

2022年11月1日 · One of the promising ways to improve the quality of HfO 2 consists of using plasma-enhanced ALD (PEALD), capable of producing higher-density material. The reactivity of oxidizing agents comes from radicals generated by the plasma, which reduces the number of incomplete reactions and lowers the concentration of impurities.

等离子体增强原子层沉积 (PEALD)是一种原子级表面沉积技术,由于其较高的反应活性以及较低的沉积温度日益受到研究者的关注。 本文介绍了PEALD技术的基本原理以及相对于其他薄膜沉积技术的优势,之后从前驱体和基底材料的影响等方面介绍了利用PEALD制备Ti、Co、Ni、Cu、Ru、Pd、Ag、Ta、Ir和Pt等过渡金属薄膜以及它们在微电子领域的应用现状,最后进行了总结和展望。

原子层沉积的新应用包括防潮和氧化的阻隔层、光伏化和显示技术的电气钝化层。 PEALD （即 P-ALD）： 通过借助等离子体而不是热活化进行活化，可以涂覆对温度敏感的基底，例如合成材料。 另外，可以使用难以热活化的原料。 应用领域除了半导体表面的电气钝化外，还包括塑料上的高质量阻隔层，这是未来超薄和灵活 显示器 (Display) 的关键技术，尤其是在使用 OLED 时。

Step 3 (PEALD): O 2 Plasma. If we replace the thermal ALD H 2 O pulse step with an O 2 plasma step, a flux of O* radicals will be incident upon the substrate surface, reacting with the methyl groups in a combustion-like process. O* + -CH 3 → CO, CO 2, H 2 O. The surface chemistry for the plasma process is not nearly as clean as that for the ...