相比于基于内光电效应的光电探测器（PN/PIN光电二极管、APD），PMT具有高增益（106～107），高灵敏度、超低噪声以及大的光敏区面积等特点。 其中，小面积型 PMT 主要用于激光雷达、光子计数、正电子发射扫描仪等，而大面积型 PMT 主要用于大型中微子探测、伽马射线探测、望远镜观测等高能物理实验研究领域。 它的不足之处在于需要真空和高压（800-1000V）工作环境，这使得器件体积较大、使用起来不够灵活。 同时，PMT的量子效率较 …

2017年1月11日 · 今早接着昨天聊聊PIN、APD型光电探测器基本结构 。 对这个本征区宽度的选择和平衡，或者设计更优秀的探测器结构，是芯片设计师的工作，咱们外行看光芯片的设计师那是有灰常灰常的高深技术能力。

2024年4月7日 · 相比于基于内光电效应的光电探测器（PN/PIN光电二极管、APD），PMT具有 高增益（106～107），高灵敏度、超低噪声以及大的光敏区面积 等特点。 其中，小面积型 PMT 主要用于激光雷达、光子计数、正电子发射扫描仪等，而大面积型 PMT 主要用于大型中微子探测、伽马射线探测、望远镜观测等高能物理实验研究领域。 它的不足之处在于需要真空和高压（800-1000V）工作环境，这使得 器件体积较大、使用起来不够灵活。 同时，PMT的量子效率较 …

A PIN diode is a diode with a wide, undoped intrinsic semiconductor region between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor region. The p-type and n-type regions are typically heavily doped because they are used for ohmic contacts.

2023年11月24日 · PD（Photodiode）是一种基本的光电探测器，其工作原理是利用半导体材料的PN结，在光照下产生电流。 PD具有响应速度快、线性度高、灵敏度高等优点，但其增益较小，需要外部电路进行放大。

2020年8月17日 · PN结，指的将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体的基片上，在这两个半导体的交界处形成的空间电荷区。 我们先看看什么是P型和N型半导体。 P型半导体：含有较高浓度的“空穴”（空穴相当于正电荷），所以是Positive的P，成为能导电的物质； N型半导体：含电子浓度较高的半导体，导电性由自由电子导电，由于电子带负电，所以是Negative的N。 因此，在P型半导体和N型半导体交界处就出现了电子和空穴的浓度差，从而形成空穴和电子的扩散运 …

PIN光电二极管（Photodiode）是由一个 P-I-N结组成的半导体器件, 可将光信号转换成电信号，电信号随着光的变化而相应变化。 它是针对一般PD的不足，在结构上加以改进而得，灵敏度比一般P-N结光电二极管要高，具有单…

PIN-PD（PIN光电二极管）：在掺杂浓度很高的P型和N型之间，加进一个接近本征材料的I区，形成PIN结构的一种应用广泛的半导体光电探测器。

p-i-n光电二极管, p-i-n Photo-Diode （pin-PD），这是一种灵敏度比一般p-n结光 (电)二极管（PD）要高的光检测二极管，它是针对一般PD的不足、在结构上加以改进而得到的一种光电二极管。

S3994-01 是一款专为光功率计设计的硅 PIN 光电二极管。 用作受光窗的平面玻璃比树脂窗更不易出现划痕，便于操作。 特点 - 薄型封装（最大 1.4 mm）- 高灵敏度：0.25 A/W 典型值 (λ=400 nm) - 大受光面：10 × 10 mm

PIN型PD即为在P、N结中间添加一个本征（Intrinsic）层，给中间层加了电压后，光照下电子移动加速，产生电流。 P型半导体和N型半导体中耗尽层的宽度是随反向电压增加而加宽的，随着反偏压的增大，结电容也要变得很小。

该系列外延式高速光电二极管可成为低工作电压领域可见光与近红外应用的理想之选。 特性: 具有外延层结构的光电二极管，可在低反向电压下加快上升时间。 通过优化外延层厚度，有助于在800nm波段实现最快速度与最大灵敏度。 技术规格和PDF数据图表. 注：产品需有最低订购量，请与我们联系。 6系列：具有超低暗电流的红外光电二极管. 高性能PIN光电二极管，可用于检测低电容光子及α、β、γ和X射线辐射。 特性. 技术规格和PDF数据图表. 注：产品需有最低订购量， …

10G PIN ＆ PIN Array PD 半导体光探测器芯片采用InGaAs/InP材料，GS电极共面结构，50um光敏面设计。 该系列芯片具有高带宽，低电容，高响应度和低暗电流，高可靠性等特性，主要应用在10G＆40G光数据通信场景下单模光纤 960nm 至 1650nm 波长范围内的光接收器。

PIN二极管相比于普通二极管增加了一层本征层（I层），使得其用途及其广泛，尤其是在射频领域和光电探测方面。 因此，深入研究PIN二极管的原理和特性是很有意义的。

目前常用旳半导体光电检测器有两种：pin光电二极管和 APD雪崩光电二极管。 光电二极管实际上类似于一种加了反向偏压旳pn结。 它 在发向偏压旳作用下形成一种较厚旳耗尽区。 当光照射到光 电二极管旳光敏面上时，会在整个耗尽区 (高场区) 及耗尽区 附近产生受激跃迁现象，从而产生电子空穴对。 电子空穴对 在外部电场作用下定向移动产生电流。 在实际旳应用中，检测器旳量子效率一般在30%-95%之间。 一般增长量子效率旳方法是增长耗尽区旳厚度，使大部分旳 入射光 …

为了提高光响应速率 (带宽)，探测器采用了窄条型侧面进光的波导型pin结构 (wd-pin-pd)。 这种结构的pn结电容可小于80ff (1ff = 10-15f )，且由于采用了半绝缘衬底，降低了杂散电容；通过减小光吸收区的厚度，减小了载流子渡越时间。

为了和850nm VCSEL 12.5Gbps芯片配套，新亮光子同时自主研发的 850nm 数据通信 PIN PD芯片，传输速率15Gbps，此款探测器芯片专为850nm数据传输波长设计，具有响应度高，暗电流低的特点，也是提供1x1, 1x4, 1x8, 1x12, 1x16单点和阵列，对应850nm VCSEL阵列，而且阵列的间距 …

PIN-PD（PIN光电二极管）：在掺杂浓度很高的P型和N型之间，加进一个接近本征材料的I区，形成PIN结构的一种应用广泛的半导体光电探测器。

特点 - 在可见光至近红外波段具有高灵敏度 - 高可靠性 - 高速响应：fc = 30 MHz - 低电容

A p–i–n photodiode, also called PIN photodiode, is a photodiode with an intrinsic (i) (i.e., undoped) region in between the n- and p-doped regions. Most of the photons are absorbed in the intrinsic region, and carriers generated therein can efficiently contribute to the photocurrent.