2024年8月16日 · 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射 (rad hard) 1 Mb 和 2 Mb 并行接口铁电 RAM (F-RAM) 非易失性存储器。 这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在 85 摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。 英飞凌 F-RAM 存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的是速 …

英飞凌推出具有业界最高密度全新1Mbit-16Mbit的 Excelon F-RAM存储器（铁电存储器），支持QSPI 接口， 最高可以支持时钟为108Mhz， 读写速率最高为54MB/s。 通过可满足下一代汽车和工业系统的永久数据采集要求，从而有助于防止在恶劣的操作环境中丢失数据。 FRAM（铁电随机存取存储器或 FeRAM）是一种独立的非易失性存储器，可在电源中断时立即捕获和保存关键数据。 它们是关键任务数据记录应用的理想选择，例如需要高可靠性控制和吞吐量的高性能可编程逻 …

2024年7月15日 · 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。 这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。 1 Mb F-RAM. 2 Mb F-RAM. 英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而 …

2024年7月16日 · 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。 这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期 ...

Infineon’s radiation hardened 1 and 2 Mb non-volatile Ferroelectric RAM (F-RAM) memories offers the utmost reliability and performance for extreme environments. The F-RAMs are low-power and support a parallel interface configured as 128K x 8 for the 1Mb density and 128K x 16 for the 2Mb density.

F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory or FeRAM) is a standalone non-volatile memory that enables you to instantly capture and preserve critical data when power is interrupted. They are ideal for mission-critical data logging applications like high-performance programmable logic controllers (PLC) requiring high reliability control and ...

Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. FeRAM is one of a growing number of alternative non-volatile random-access memory technologies that offer the same functionality as flash memory .

2024年7月15日 · 全球功率系统和 物联网 领域的 半导体 领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。 这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以 总线 速度进行随机存取和全存储器写入。 英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的 …

F-RAM (Ferroelectric Ram) is available at Mouser Electronics from Infineon, Fujitsu Semiconductor and ROHM Semiconductor. Mouser is an authorized distributor for many F-RAM memory products. Please view our large selection of F-RAM memory products below.

2024年7月15日 · 全球功率系统和 物联网 领域的 半导体 领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb 并行接口 铁电RAM（F-RAM）非易失性 存储器。 这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以 总线 速度进行随机存取和全存储器写入。 1 Mb F-RAM. 2 Mb F-RAM. 英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的 …