Rds（on）与Vgs的关系：随着Vgs增大，Rds（on）逐渐减小，一般MOSFET在Vgs电压达到10V左右时完全导通，Rds（on）变化不大。 Rds（on）和结温关系：Rds（on）会随着结温的升高而升高，在实际使用中需要考虑环境温度来选择合适Rds（on）的器件。 Rds（on）和耐压的关系：一般，耐压比较高的器件相对Rds (on)会更大。 若您想寻找更多应用、产品信息或想联系我们购买产品，欢迎点击 此处 填写您的个人信息及需求，我们将安排专人后续跟进。 老友来的语 …

2024年10月6日 · Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。 增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。 Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。 不同Vds值下，MOSFET可能工作在欧姆区（线性区）、饱和区（或活动区）等。 Vth（门槛电压/Threshold Voltage）是使MOSFET从截止区转换到导 …

2023年12月25日 · MOSFET 的栅极阈值电压 Vth 是在其源极和漏极区域之间产生传导通道所需的最小栅偏压。 考虑驱动电路和驱动电流时， MOSFET 的栅极电荷 Qg 比其电容更加重要。 图 1.4 所示为增加栅极电压所需的栅极电荷的参数定义。 1.2.2. 计算 MOSFET 栅极电荷. MOSFET 开启期间， 电流流到其栅极， 对栅源电容和栅漏电容充电。 图 1.5 显示了栅极电荷的测试电 路。 图 1.6 显示了对栅极端子施加恒定电流时获得的栅源电压随时间变化的曲线。 由于栅电流恒定， …

2024年9月29日 · 在MOSFET中，Vgs是栅极和源极之间的电压，Vgs的大小直接决定了MOSFET是否处于导通状态。 对于N型MOSFET，当Vgs大于其阈值电压（Vth）时，MOSFET内部会形成一个导电通道，使电流可以从漏极流向源极，此时MOSFET处于导通状态。 相反，当Vgs小于Vth时，导电通道消失，MOSFET进入截止状态，不再有漏极电流（Id）通过。 Vds则是漏极和源极之间的电压，它决定了漏极电流的大小以及MOSFET的工作模式。 通常，Vds的变化 …

2023年10月5日 · 可以用一个简单的公式表示：VGS = VTH + Vds。 其中，Vds 是源极和漏极之间的电压。 从这个公式可以看出，只要 Vds 足够大，即使 VGS 略小于 VTH，也可以使 MOS 管导通。 因此，在实际应用中，我们通常关注 Vds 的大小，而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。 我们更关注栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系，是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。 在MOS管导通时，栅源电压（VGS）大于阈值电压（VTH），沟道形成，电流可以通过 …

VGS (th) 表示的是MOS的开启电压 (阀值电压)，对于NMOS，当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS (th) 时，NMOS就会导通。 IGSS 表示栅极驱动漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。 IDSS 表示漏源漏电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源漏流，一般在微安级。 RDS (ON) 表示MOS的导通电阻，一般来说导通电阻越小越好，其决定MOS的导通损耗，导通电阻越大损耗越大，MOS温升也越高，在大功率电源中，导通损耗会占MOS整个损耗中较大的比 …

Low Gate Charge： 栅极总充电电量。 这个参数越小越好，它涉及MOSFET的门极驱动损耗，以后会在MOSFET的损耗分析里详解。 Low Crss： 反向传输电容，也叫 米勒电容，所谓的米勒平台就是由它导致的。 它影响MOSFET的开关速度及损耗，也是越小越好。 以后会在MOSFET的工作原理及损耗分析里详解。 100% Avalanche Tested： 雪崩测试，对于做短路保护或者雷击浪涌来说，这个测试是有意义的，后面详细讲。 RoHS Compliant： RoHS是对电子设备中的某些重金 …

对于MOSFET而言，第二把交椅是阈值电压（Gate-source threshold voltage，VGS (th)）。 这个排名或许会有争议，为何不是电流（DC drain current,ID）或导通电阻（Drain-source on-state resistance，RDS (on)）？ 很遗憾，笔者不是销售视角（电压/电流，电压/导通电阻朗朗上口），而更多的是从芯片设计角度来看数据表；所以暂且搁置排名争议，听笔者巴拉巴拉如下。 其含义为栅-漏短接施加电压，当漏极电流达到某定值时刻的栅-源电压值。 其含义为漏端施加脉冲 …

开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压，标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V，通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 2、直流输入电阻RGS. 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，这一特性有时以流过栅极的栅流表示，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3、漏源击穿电压BVDS.

2024年9月29日 · 在 MOSFET （金属氧化物 半导体 场效应 晶体管）中，Vgs（栅极-源极电压）和Vds（漏极-源极电压）之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 Vgs（栅极-源极电压） ：这是施加在MOSFET栅极和源极之间的电压。 它决定了MOSFET的导通与截止状态。 对于NMOS而言，当Vgs大于 阈值电压 Vth时，MOSFET导通；而对于PMOS，情况则相反，当Vgs小于Vth时导通。 Vds（漏极-源极电压） ：这是施加在MOSFET漏极和源极之间的电压。 它反映 …