一篇全面解读：PECVD工艺的种类、设备结构及其工艺原理
这种方法是日本科尼卡公司在1994年提出的，其等离子体的产生方法多采用射频法，故称为RF-PECVD。 其射频电场采用两种不同的耦合方式，即电感耦合和电容耦合 [1]。 1.2 甚高频等离 …
Pecvd 工艺类型、设备结构及其工艺原理 - Kintek Solution
射频增强等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）是一种在基底上沉积多晶薄膜的复杂技术。 这种方法利用辉光放电等离子体的能量来影响低压化学气相沉积过程，从而提高薄膜形成的质量和效 …
用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜 - cjmr.org
用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石 (DLC)薄膜，通过控制甲烷 (CH4)与氩气 (Ar)流量的比值 (V C H 4 / V A r)分别在上极板和下极板上沉积制备出一系 …
为什么PECVD普遍采用射频功率输入？主要优点说明
pecvd（等离子体增强化学气相沉积）通常使用射频（rf）输入功率，因为它能够维持辉光放电等离子体，这对电介质薄膜的沉积至关重要。 射频功率可提高离子轰击能量，改善薄膜质量，并 …
Plasma-enhanced chemical vapor deposition - Wikipedia
Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is a chemical vapor deposition process used to deposit thin films from a gas state to a solid state on a substrate. Chemical reactions …
RF-PECVD deposition and optical properties of ... - ScienceDirect
2014年8月1日 · Hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC x:H) thin films were deposited using a radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) system …
PECVD工艺设备原理 - 知乎 - 知乎专栏
PECVD概念（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）：等离子体增强化学气相沉积是一种在真空环境下利用射频电场使反应气体等离子化并在衬底上进行化学反应沉积的薄膜制备技 …
Pulsed-radio frequency plasma enhanced chemical vapour deposition …
2012年5月31日 · Plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) is a commonly used technique for growth of a-SiN x. Here the PECVD uses continuous wave (CW) radio frequency …
等离子体增强化学气相沉积 (Pecvd)：综合指南 - Kintek Solution
等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 是一种广泛应用于半导体行业的薄膜沉积技术。 它将化学气相沉积 (CVD) 原理与等离子体技术相结合，可生成高质量薄膜并精确控制其特性。 与传统 …
等离子增强型化学气相淀积（PECVD）技术综述
（一）射频增强等离子体化学气相淀积（rf-pecvd）等离子体化学气相淀积利用辉光放电等离子对过程施加影响，在衬底上制备多晶薄膜。 RF-PECVD 由日本科尼卡公司于 1994 年提出，其 …