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DDR4 SDRAM - 理解时序参数 - miyan - 博客园
2022年8月17日 · AL (Additive Latency) 通过AL，设备允许在ACTIVATE命令后立即发出WRITE命令。该命令在设备内部发出前会被保留AL的时间。支持这一功能是为了维持设备中更高的带 …
SDRAM中前置CAS的理解（RL=AL+CL） - CSDN博客
2023年7月6日 · 文章讨论了内存控制器如何处理act和read指令之间的延迟(trcd)，以及冲突的解决办法。通过引入前置cas，可以提高效率，消除数据传输间隔。al表示列激活的提前量，cl保持 …
对DDR2中总线时序（Post CAS技术中）附加延迟(AL)的理解_ddr …
2013年2月27日 · 附加延遲 (AL, additive latency)是使用Post CAS技术时，总线上发出CAS信号（读写/命令）后到这个指令实际被执行的延时。 所以在使用了这个技术之后，从发送出激 …
MEMORY系列之“DDR参数” - 电子工程专辑 EE Times China
2019年4月16日 · 由于CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency），DDR3会有一个AL（Additive Latency），因此RL=AL+CL。 和读数据类似， …
译文：DDR4 SDRAM - Understanding Timing Parameters - 知乎
AL （Additive Latency） AL 延迟允许紧跟激活命令后发出读命令，器件内部将读命令延迟 AL 个时钟周期后执行。 该项特性用于保持器件内部的高带宽与高速率
DDR扫盲——DDR3基础知识-Felix-电子技术应用-AET-中国科技核 …
RL为总的读取潜伏期，其被定义为Additive Latency (AL)+CAS Latency (CL)； CAS Latency为读取潜伏，为内部读命令和第一个bit有效数据输出之间的时钟周期； Additive Latency为附加潜 …
DDR时序参数详解（转载） - CSDN博客
2019年6月14日 · 附加延遲(AL, additive latency)是使用Post CAS技术时，总线上发出CAS信号（读写/命令）后到这个指令实际被执行的延时。 但是对于这个改进有两个地方值得注意的：
DDR4 SDRAM -时序参数小册子 - miyan - 博客园
2022年8月20日 · 通过AL，设备允许在ACTIVATE命令后立即发出WRITE命令。 该命令在设备内部发出前会被保留AL的时间。 支持这一功能是为了在设备中维持更高的带宽/速度。 CAS是列地 …
浅谈DDR SDRAM的Timing具体时序参数 - 存储技术 - 电子发烧友网
2023年12月2日 · AL （Additive Latency） AL 延迟允许紧跟激活命令后发出读命令，器件内部将读命令延迟 AL 个时钟周期后执行。 该项特性用于保持器件内部的高带宽与高速率