2023年1月17日 · RTT_NOM：假设MR1的ODT没有被disable，当ODT pin拉高时，此时终端电阻阻值为RTT_NOM。 RTT_PARK：给MR5以合适的设置，且当ODT pin脚为低时，终端电阻阻值为RTT_PARK。

When Rtt_park is enabled, a selected termination value is set in the DRAM when ODT is driven low. Rtt_nom and Rtt_wr work the same as in DDR3, which is described in Dynamic ODT for DDR3 . Refer to the DDR4 JEDEC* specification or your memory vendor data sheet for details about available termination values and functional description for dynamic ...

即rtt可以动态配置，动态odt支持三种rtt值：rtt_nom, rtt_park and rtt_wr，相比与同步odt模式，少了一个电阻disable，操作方式利用了控制器发送读写命令后rtt阻值需要一定时间才能切换到rtt_dyn的对应值，这段时间成为odt延迟一般为bl突发长度，再次期间需要通过对对应 ...

2017年4月19日 · 本文详细介绍了DDR4 SDRAM的片上终结电阻（ODT）功能，包括ODT模式寄存器、同步ODT模式和动态ODT特性。 在同步ODT模式下，ODT的开启和关闭与时序参数密切相关，而在动态ODT模式中，无需MRS命令即可改变终结电阻的强度，以提高数据总线的信号完整性。 DDR4 SDRAM的ODT功能通过模式寄存器配置和ODT引脚控制，可以实现对不同操作的优化。 DQS_t, DQS_c与DM_n信号的终结电阻，x8设备除了上述引脚还可通过MR1.A11=1调 …

2023年8月21日 · 本文详细介绍了ddr5sdram中的5种odt模式，包括rtt_wr、rtt_nom_rd、rtt_nom_wr、rtt_park和dqs_rtt_park，以及它们在时序图和状态表中的应用。 重点讲解了ODT在不同操作下的控制策略和对终端电阻的影响。

DDR有两个端接阻值 RTT_NOM 和 RTT_WR，这两个阻值由控制器预先设置好。 至于读，由于内存颗粒是信号的发送端，所以不需要端接，这时候ODT必须关闭。 DDR II中加入了ODT功能，即将终结电阻设于内存芯片内，当在DRAM模组工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM模组则进行终结操作，起到减少信号反射的作用。 但是对于DDR 内存颗粒，在进行写操作时，需要 …

进入自刷新模式后，无论MR寄存器中的RTT值如何设定，ODT都会自动禁用，并同时将Hi-Z设置为终止状态。 控制器可以通过WR/RD命令和使用ODT偏移控制模式寄存器来控制每个RTT状态。 RTT Value优先级. Strobe Termination Disable ｜ Data Termination Disable; RTT_WR; RTT_NOM_RD; RTT_NOM_WR ...

2021年9月18日 · 以DDR3为例，ODT的配置模式有两种，分为标称ODT (Nominal ODT)和动态ODT (Dynamic ODT)。 标称ODT的值定义为Rtt_nom，该模式下的ODT开关状态由控制器给到DDR的ODT管脚信号决定（高电平打开ODT），因此在标称ODT模式下，DDR端的ODT功能开关由DDR控制器决定。Rtt_nom的值由MR1模式寄存器的M9,M6,M2三位决定，若Rtt_nom在写过程使用，只有RZQ/2, RZQ/4, RZQ/6 三个值可以选择。 动态ODT模式能够让DDR在正常工作状 …

2022年7月5日 · DRAM的信号驱动强度可以通过设置模式寄存器MR1[2:1]来控制。终端可以分别通过模式寄存器MR1、2和5中的RTT_NOM、RTT_WR和RTT_PARK的组合来控制。 Vref DQ 校准 Figure 7: Vref DQ 校准

在DDR3 标准中定义了两种RTT，即RTT_nom 和RTT_wr，两者分别在MR1和MR2寄存器中设定。如下图。 在write leveling模式下，仅RTT_nom可用。在写模式下，可以使能RTT_wr来动态改变ODT而不需要重新设置MR寄存器。